مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Ocpc Formula Nvme M2 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Ocpc Formula Nvme M2 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

أو سي بي سي VS سامسونج

الميزة	Ocpc Formula Nvme M2 256Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows / macOS / Linux	-
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	QLC
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Adata Su750 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Adata Su750 256Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

أدا VS سامسونج

الميزة	Adata Su750 256Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	47.5 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8128Gntd Nvme M2 128Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة جيجابايت Gp Gsm2Ne8128Gntd Nvme M2 128Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Gp Gsm2Ne8128Gntd Nvme M2 128Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي		5 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	تقنية HMB (مخزن الذاكرة المضيف) لاستخدام جزء صغير من ذاكرة الوصول العشوائي للنظام كذاكرة تخزين مؤقت / إمكانية عرض درجة حرارة الذاكرة / إمكانية المسح الآمن لحذف البيانات بشكل لا رجعة فيه / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة إتش بي P06194-B21 SSD داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة إتش بي P06194-B21 SSD داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

إتش بي VS سامسونج

الميزة	إتش بي P06194-B21 SSD داخلي	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
سعة الذاكرة	480 GB	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	530 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	300 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	15000 IOPS	88000 IOPS
الحجم والأبعاد	2.5" (228.6 * 177.8 * 127 mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	500 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	QLC
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingmax Smv Sata 25 Inch 960Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Kingmax Smv Sata 25 Inch 960Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كينغماكس VS سامسونج

الميزة	Kingmax Smv Sata 25 Inch 960Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 480 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100.5 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	71 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

إنتل VS سامسونج

الميزة	Intel Optane ذاكرة M10 Pcie M2 16Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	150 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 365 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	9 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M460 Hs Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Msi Spatium M460 Hs Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M460 Hs Nvme M2 2Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	4900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingmax Sme35 Sata 2 5 Inch 240Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Kingmax Sme35 Sata 2 5 Inch 240Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

كينغماكس VS سامسونج

الميزة	Kingmax Sme35 Sata 2 5 Inch 240Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة	-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	5 V
العمر الافتراضي المتوسط	1,200,000 (MTBF) ساعة (h)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	71 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 برو SSD داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة سامسونج 860 برو SSD داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سامسونج VS سامسونج

الميزة	سامسونج 860 برو SSD داخلي	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
تقنية التشفير	256-bit AES	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	100000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	90000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	4800	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.86 * 69.8 mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	95.25 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Intel Ssd 665P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Intel Ssd 665P Series Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

إنتل VS سامسونج

الميزة	Intel Ssd 665P Series Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1925 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	0.1 واط في الوضع النشط / 0.04 واط في وضع الخمول	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
تقنية التشفير		Yes
الحجم والأبعاد	22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	10 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Sabrent Rocket Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة Sabrent Rocket Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سابرنت VS سامسونج

الميزة	Sabrent Rocket Nvme M2 1Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
العمر الافتراضي المتوسط	1800 (TBW) تيرابايت (tb)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	12.7 * 72.13 * 101.85 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	68 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة