1. يُقارِن | Yuqarin
  2. مقارنة إلكترونيات
  3. مقارنة الكمبيوتر وإكسسواراته
  4. مقارنة وحدات تخزين البيانات
  5. مقارنة أقراص SSD
  6. مقارنة أقراص SSD داخلية

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
VS
مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

سامسونغ VS سانديسك
الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع SDRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال -
الأنظمة المتوافقة -
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb
VS
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

مقارنة مع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

كينغسبيك VS سامسونغ
الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم false
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb
VS
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

مقارنة مع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

سامسونغ VS سامسونغ
الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة ذاكرة فلاش NAND داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
نوع الاتصال NVMe -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 7150 ميجابايت/ثانية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة -
الميزات الإضافية تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD (MZ-V9S1T0B/AM) -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة فعال
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb
VS
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

مقارنة مع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

كروشيال VS سامسونغ
الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الحجم والأبعاد M.2 2280 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة - 1 تيرابايت (tb)
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb
VS
مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

مقارنة مع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

سامسونغ VS سامسونغ
الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة SSD داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع الاتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM نعم true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
العمر الافتراضي المتوسط غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ نعم false
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم false
الأنظمة المتوافقة Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe) -
الميزات الإضافية برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان أسود -
الحجم والأبعاد M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج تقريبًا 8.0 جرام 9 جرام (g)
محتويات العلبة SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb
VS
مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

كينغستون VS سامسونغ
الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14200 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 11000 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.3 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb
VS
مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

كينغستون VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4000 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 320 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb
VS
مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

كينغستون VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 480 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb
VS
مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

أداتا VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes
سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 12 g 9 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb
VS
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g 9 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb
VS
مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

ديل VS سامسونغ
الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 3.84 TB 1 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد 2.5" 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb
VS
مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايتمع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

آي ستوريدج VS سامسونغ
الميزة

iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6500 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 14 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false
عرض تفاصيل المقارنة