صفحة 2 من المقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 3.3 V 3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 9 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع SDRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 14 g
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes
سعة الذاكرة 7.68 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 151.3 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع SDRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1400
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 50 g
مؤشر الحالة LED false -
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع SDRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes
سعة الذاكرة 3.84 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 146.2 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM 1 جيجابايت نوع SDRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 250
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير Yes
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج 9 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 9 جرام (g)
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true false
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Samsung 990 Pro Nvme M2 1Tb

تقنية التشفير Yes
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 9 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - 1 جيجابايت نوع SDRAM
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false