1. يُقارِن | Yuqarin
  2. مقارنة إلكترونيات
  3. مقارنة الكمبيوتر وإكسسواراته
  4. مقارنة وحدات تخزين البيانات
  5. مقارنة أقراص SSD
  6. مقارنة أقراص SSD داخلية
  7. صفحة 5

صفحة 5 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي
VS
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

سامسونج VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 8 TB 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC -
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2.5"
وزن المنتج 46 g 58 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
خيارات الألوان - Siyah
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
VS
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونج VS سيجيت
الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 8 TB 960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1800000 saat
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج 46 g 40 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات - RoHS
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سامسونج VS سامسونج
الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 8 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

ديل VS سامسونج
الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سعة الذاكرة 3.84 TB 8 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 46 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

آي ستوريدج VS سامسونج
الميزة

iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تقنية التشفير Yes Yes
سعة الذاكرة 1 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6500 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1000000 IOPS 88000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 14 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

لينوفو VS سامسونج
الميزة

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سعة الذاكرة 1.92 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

لينوفو VS سامسونج
الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سعة الذاكرة 240 GB 8 TB
سرعة القراءة التسلسلية 540 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 250 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 78000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 26000 IOPS 88000 IOPS
الحجم والأبعاد M.2 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 2.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 46 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

لينوفو VS سامسونج
الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سعة الذاكرة 1.92 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 70 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

أداتا VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 13000 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2000000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 1650000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1480 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 12 g 46 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA -
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

جيجابايت VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 700 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 1 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 600 1500000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 6 g 46 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط) {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط) {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

كينغستون VS سامسونج
الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سعة الذاكرة 1.92 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 3504 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 69 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V
عرض تفاصيل المقارنة