1. يُقارِن | Yuqarin
  2. مقارنة إلكترونيات
  3. مقارنة الكمبيوتر وإكسسواراته
  4. مقارنة وحدات تخزين البيانات
  5. مقارنة أقراص SSD
  6. مقارنة أقراص SSD داخلية
  7. صفحة 4

صفحة 4 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe
VS
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

سامسونج VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 8 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 440000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) M.2
وزن المنتج 46 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
خيارات الألوان - Black, Green
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1500000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7.5 g 46 g
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S
VS
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

سامسونج VS سيجيت
الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 8 TB 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 195000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2500000 saat
الجهد التشغيلي 5 V 12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج 46 g 205 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1200 1500000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7.5 g 46 g
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
VS
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونج VS سيجيت
الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 8 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1400
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 46 g 50 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No
الشهادات والتصديقات - RoHS
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
VS
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

سامسونج VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 8 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 600
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2280 (22 x 80 mm)
وزن المنتج 46 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
الشهادات والتصديقات - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

كينغستون VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 480 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1500000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7.5 g 46 g
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
VS
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

سامسونج VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 8 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
الجهد التشغيلي 5 V 3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج 46 g 8 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
خيارات الألوان - Siyah
الشهادات والتصديقات - RoHS
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

بريداتور VS سامسونج
الميزة

Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
سرعة القراءة التسلسلية 7200 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6300 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 925000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 974000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7 g 46 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
الجهد التشغيلي - 5 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سامسونج VS سامسونج
الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 8 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
VS
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونج VS سيجيت
الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 8 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1400
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 46 g 50 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No
الشهادات والتصديقات - RoHS
عرض تفاصيل المقارنة