صفحة 6 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تم إعداد 4 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

إتش بي VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
سعة الذاكرة	1 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC	V-NAND MLC
الحجم والأبعاد	PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	9 g	46 g
محتويات العلبة	HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
منفذ الاتصال بالذاكرة	-	Serial ATA III

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

ديل VS سامسونج

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
سعة الذاكرة	1.6 TB	8 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO مع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO مع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

سامسونج VS سيجيت

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	8 TB	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D cMLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	-
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2000000 saat
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج	46 g	14 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سامسونج VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	8 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1500000 saat
الجهد التشغيلي	5 V	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	46 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili

عرض تفاصيل المقارنة

4
5
6