1. يُقارِن | Yuqarin
  2. مقارنة إلكترونيات
  3. مقارنة الكمبيوتر وإكسسواراته
  4. مقارنة وحدات تخزين البيانات
  5. مقارنة أقراص SSD
  6. مقارنة أقراص SSD داخلية
  7. صفحة 3

صفحة 3 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

لينوفو VS سامسونج
الميزة

لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سعة الذاكرة 960 GB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 81000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير - Yes
دعم TRIM - true
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

جيجابايت VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 700 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

إتش بي VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

وزن المنتج 164 g 46 g
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
محتويات العلبة Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سعة الذاكرة - 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش - V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية - 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
منفذ الاتصال بالذاكرة - Serial ATA III
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سامسونج VS سامسونج
الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 8 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

كليف VS سامسونج
الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1500000 saat
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 10 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي
VS
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

سامسونج VS إكس بي جي
الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 8 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 3200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 250
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج 46 g 8 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
VS
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

سامسونج VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 8 TB 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
الجهد التشغيلي 5 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 46 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

كينغستون VS سامسونج
الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 14700 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7.7 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

كينغستون VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 640 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 2.8 g 46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
الجهد التشغيلي - 5 V
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe
VS
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

سامسونج VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 8 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 440000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) M.2
وزن المنتج 46 g 9 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
خيارات الألوان - Black, Green
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
VS
مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1500000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7.5 g 46 g
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 88000 IOPS
عرض تفاصيل المقارنة
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S
VS
مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

سامسونج VS سيجيت
الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 8 TB 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS 195000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2500000 saat
الجهد التشغيلي 5 V 12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج 46 g 205 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
عرض تفاصيل المقارنة