صفحة 2 من المقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO$

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		Yes
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	9.7 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO$

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

فيليبس VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
سعة الذاكرة	240 GB	8 TB
سرعة القراءة التسلسلية	450 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	360 MB/s	530 MB/s
الجهد التشغيلي	5 V	5 V
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 70 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	38.2 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO$

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

إتش بي VS سامسونج

الميزة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
وزن المنتج	34.4 g	46 g
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
محتويات العلبة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سعة الذاكرة	-	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
منفذ الاتصال بالذاكرة	-	Serial ATA III

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO$

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
تقنية التشفير	Yes	Yes
سعة الذاكرة	7.68 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	151.3 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO$

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

لينوفو VS سامسونج

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
سعة الذاكرة	512 GB	8 TB
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	530 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7.2 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
سعة الذاكرة	2 TB	8 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 76 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	9 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
سعة الذاكرة	1.92 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير	-	Yes
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	530 MB/s
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO$

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
سعة الذاكرة	500 GB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	160	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	2.6 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVOمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO	Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO$

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
سعة الذاكرة	1 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14200 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	11000 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2150000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7.3 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO$

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
سعة الذاكرة	4 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14800 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7.7 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO$

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO

كينغستون VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO
سعة الذاكرة	1 TB	8 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4000 MB/s	530 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	320	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	2.8 g	46 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة