مقارنة Samsung 860 Pro 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung 860 Pro 512Gbمع زاداك TWSG3 NVMe M.2 سعة 256 جيجابايت

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

زاداك TWSG3 NVMe M.2 سعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 2.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 51 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tbمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج 9.7 جرام (g) 51 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)

مقارنة Lexar Sl200 Usb 31 1Tbمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Lexar Sl200 Usb 31 1Tb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة خارجي داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
نوع الاتصال Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.1 Gen 1 -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 9.5 * 60 * 86 مليمتر (mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج 40.6 جرام (g) 51 جرام (g)
مؤشر الحالة LED true false
محتويات العلبة كابل USB Type-C إلى USB Type-A / كابل USB Type-C إلى USB Type-C / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر) -
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري) 100 x 69.8 x 6.8 مم
مؤشر الحالة LED false false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 51 جرام (g)

مقارنة Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gbمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 51 جرام (g)

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

جيجابايت Nvme M2 256Gb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 51 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية - دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 51 جرام (g) 9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية - خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)

مقارنة Samsung 860 Pro 512Gbمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false true
دعم TRIM true -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم -
وزن المنتج 51 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الأنظمة المتوافقة - Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Samsung 860 Pro 512Gbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 4800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 100 x 69.85 x 6.8 مم
وزن المنتج 51 جرام (g) 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة Samsung 860 Pro 512Gbمع Samsung 860 Qvo 2Tb

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

Samsung 860 Qvo 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 51 جرام (g) 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttdمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 1Tb Gp Asm2Ne6100Tttd

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش Toshiba BiCS4 96-Layers 3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,770,000 ساعة (MTBF) / 1800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 11.25 * 23.5 * 80.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج 51 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية - مبدد حراري من النحاس / خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box

مقارنة Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tbمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 3115 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true true
دعم RAID false true
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 51 جرام (g) 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات -