صفحة 2 من المقارنة Samsung 860 Pro 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة مع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري -
الحجم والأبعاد M.2 2280 100 x 69.8 x 6.8 مم
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 2.5 بوصة
سعة الذاكرة -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 51 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Adata Ultimate Su650 Sata M2 1Tbمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Adata Ultimate Su650 Sata M2 1Tb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 510 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 420 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true true
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج 7 جرام (g) 51 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 860 Pro 512Gbمع

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) -
استهلاك الطاقة فعال
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم M.2 2280
وزن المنتج 51 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
الأنظمة المتوافقة - كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية - تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقارنة مع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف -
الحجم والأبعاد M.2 2280 100 x 69.8 x 6.8 مم
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 2.5 بوصة
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 51 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 860 Pro 512Gbمع

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM true نعم
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM true نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true نعم
تقنية التشفير تشفير AES 256 بت
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج 51 جرام (g) تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية - برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
خيارات الألوان - أسود
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان

مقارنة Samsung 860 Pro 512Gbمع Western Digital Pc Sn530 Sdbptpz 256G Nvme M2 256Gb

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

Western Digital Pc Sn530 Sdbptpz 256G Nvme M2 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 950 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM true false
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1,750,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة
دعم NCQ false false
دعم TRIM true false
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true false
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 2.38 * 22 * 30 مليمتر (mm)
وزن المنتج 51 جرام (g) 3.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Adata Legend 960 Max Nvme M2 1Tbمع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

Adata Legend 960 Max Nvme M2 1Tb

Samsung 860 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false true
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 10.65 × 23.2 × 80.6 مم (مع مبدد حراري) / 3.3 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري) 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج 36.6 جرام (مع المشتت الحراري) ** 7.3 جرام (بدون المشتت الحراري) 51 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
تقنية التشفير -

مقارنة Samsung 860 Pro 512Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) 5 V
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير Yes
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج 51 جرام (g) 46 g
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Samsung 860 Pro 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونغ
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Samsung 860 Pro 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج 6 g 51 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 860 Pro 512Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 90000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1400
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 51 جرام (g) 50 g
مؤشر الحالة LED false -
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Samsung 860 Pro 512Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

Samsung 860 Pro 512Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 100 x 69.8 x 6.8 مم
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
تقنية التشفير -
وزن المنتج - 51 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Samsung 860 Pro 512Gbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

الميزة

Samsung 860 Pro 512Gb

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2000000 saat
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد 100 x 69.8 x 6.8 مم M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج 51 جرام (g) 14 g
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Black, Green