صفحة 4 من المقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

الميزة

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

سعة الذاكرة 512 GB 1 TB
سرعة القراءة التسلسلية 6900 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 MB/s 520 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C 32 - 158 °F
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 7.2 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 150
خيارات الألوان - Siyah
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true

مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PROمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

سعة الذاكرة 1 TB 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 10000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 36000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 150 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 32 - 158 °F 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 8 g

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

الميزة

جيجابايت Nvme M2 128Gb

إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 36000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 32 - 158 °F
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
العمر الافتراضي المتوسط - 150
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tbمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

الميزة

Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 36000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 32 - 158 °F
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW) 150
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات -
الحجم والأبعاد 2.15 x 22 x 80 مم 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tbمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

الميزة

Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb) 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 36000 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية 32 - 158 °F
العمر الافتراضي المتوسط 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW) 150
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) -
الحجم والأبعاد 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 9.7 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

الميزة

كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت

إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

سعة الذاكرة 500 GB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 160 150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 32 - 158 °F
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 2.6 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 36000 IOPS
خيارات الألوان - Siyah
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

الميزة

Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 36000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 32 - 158 °F
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 150
استهلاك الطاقة 3.5 واط في الوضع النشط -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

سعة الذاكرة 1 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4000 MB/s 520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 320 150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 32 - 158 °F
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 2.8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 36000 IOPS
خيارات الألوان - Siyah
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true

مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PROمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

الميزة

إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

سعة الذاكرة 1 TB 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D MLC -
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 10000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 36000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 150 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 32 - 158 °F 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2.5"
خيارات الألوان Siyah Siyah
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
وزن المنتج - 58 g

مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PROمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

سعة الذاكرة 1 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 10000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 36000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 150 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 32 - 158 °F 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
خيارات الألوان Siyah Siyah
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 3.3 V
وزن المنتج - 8 g
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

سعة الذاكرة 1 TB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC 3D MLC
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج 9 g -
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 32 - 158 °F
خيارات الألوان - Siyah
منفذ الاتصال بالذاكرة - Serial ATA III
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true

مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PROمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

الميزة

إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

سعة الذاكرة 1 TB 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D MLC V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 10000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 36000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 150 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 32 - 158 °F 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
تقنية التشفير - Yes
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g