مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة مع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

الميزة		إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
نوع استخدام الذاكرة	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe Gen3x4	-
نوع الاتصال	NVMe Gen3x4	-
سعة الذاكرة	512 جيجابايت	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية	550 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش	ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)	3D MLC
وحدة التحكم	وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة	-
دعم TRIM	نعم	true
دعم S.M.A.R.T	نعم	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
الميزات الإضافية	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
محتويات العلبة	SSD، وثائق	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	32 - 158 °F
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD$

مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PROمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

سامسونج VS سانديسك

الميزة	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	10000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	36000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	150	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	32 - 158 °F	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
نوع الاتصال	-
الأنظمة المتوافقة	-
الميزات الإضافية	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PROمع

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC	Samsung V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	10000 IOPS	تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	36000 IOPS	تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
العمر الافتراضي المتوسط	150	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	32 - 158 °F	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
خيارات الألوان	Siyah	أسود
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	SSD داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
دعم TRIM	true	نعم
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
ذاكرة DRAM	-	نعم
وحدة التحكم	-	Samsung Elpis Controller
دعم NCQ	-	نعم
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية	-	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير	-	تشفير AES 256 بت
وزن المنتج	-	تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
تصميم وأبعاد الجهاز	-	عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة	-	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PROمع

سامسونج VS سامسونغ

الميزة	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC	أحدث ذاكرة NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	10000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	36000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	150	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	32 - 158 °F	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	M.2 2280
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	M.2 2280
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	ذاكرة فلاش NAND
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
نوع الاتصال	-	NVMe
وحدة التحكم	-	وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير	-
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
تصميم وأبعاد الجهاز	-	عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة	-	فعال

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tbمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		36000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	32 - 158 °F
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	150
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	9.7 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tbمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

إم إس آي VS سامسونج

الميزة	Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		36000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	32 - 158 °F
العمر الافتراضي المتوسط	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	150
استهلاك الطاقة	أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)	-
الحجم والأبعاد	3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايتمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14700 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7.7 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

ديل VS سامسونج

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	1.6 TB	1 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	32 - 158 °F
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

إتش بي VS سامسونج

الميزة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
وزن المنتج	34.4 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
محتويات العلبة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	-	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	32 - 158 °F
خيارات الألوان	-	Siyah
منفذ الاتصال بالذاكرة	-	Serial ATA III
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	512 GB	1 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	6.5 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	150
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

كليف VS سامسونج

الميزة	محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4800 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	560000 IOPS	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	615000 IOPS	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1400	150
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	10 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
الشهادات والتصديقات	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	32 - 158 °F
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI298	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	600	150
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	6 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة