صفحة 3 من المقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

علامة تجارية غير معروفة VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500	150
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	3.84 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	146.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875 {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

لينوفو VS سامسونج

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	1.92 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	3D MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	true
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 MB/s
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00 {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

فيليبس VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	240 GB	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	450 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	360 MB/s	520 MB/s
الجهد التشغيلي	5 V	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 70 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	38.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	32 - 158 °F
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PROمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

سامسونج VS سامسونج

الميزة	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
سعة الذاكرة	1 TB	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	10000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	36000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	150	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	32 - 158 °F	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
تقنية التشفير	-	Yes
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PROمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونج VS سيجيت

الميزة	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	10000 IOPS	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	36000 IOPS	90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	150	1400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	32 - 158 °F	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
وزن المنتج	-	50 g
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة إس إس دي داخلي سامسونج 850 PROمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

سامسونج VS سيجيت

الميزة	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
سعة الذاكرة	1 TB	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D MLC	QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	10000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	36000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	150	1800000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	32 - 158 °F	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
وزن المنتج	-	40 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

كينغستون VS سامسونج

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	4 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	14800 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7.7 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

ديل VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	960 GB	1 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	32 - 158 °F
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

كينغستون VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
سعة الذاكرة	2 TB	1 TB
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	480	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
الشهادات والتصديقات	CE, RoHS	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D MLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
خيارات الألوان	-	Siyah
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

إتش بي VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
وزن المنتج	164 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	-	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	32 - 158 °F
خيارات الألوان	-	Siyah
منفذ الاتصال بالذاكرة	-	Serial ATA III
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	إس إس دي داخلي سامسونج 850 PRO
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	3D MLC
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	520 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	700	150
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	32 - 158 °F
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 6.8 * 69.8 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	10000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	36000 IOPS
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة