صفحة 5 من المقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	3.84 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4000 MB/s	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	320	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.8 g	6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

أداتا VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1480	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	12 g	6.6 جرام (g)
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	240 GB
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	250 MB/s	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	78000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	26000 IOPS	-
الحجم والأبعاد	M.2	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

إتش بي VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
وزن المنتج	164 g	6.6 جرام (g)
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		RoHS
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

بي إن واي VS بي إن واي

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6850 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ
مؤشر الحالة LED	false	false
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Samsung 960 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb

بي إن واي VS بي إن واي

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3115 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Samsung 860 Qvo 1Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Samsung 860 Qvo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Pro 512Gb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Samsung 960 Pro 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	8.3 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Crucial Bx500 480Gbمع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

كروشيال VS بي إن واي

الميزة	Crucial Bx500 480Gb	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	7 * 95 * 125 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 جرام (g)	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false

عرض تفاصيل المقارنة