صفحة 6 من المقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tbمع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

الميزة	Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tb	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 3000 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية		-
وزن المنتج	660 جرام (g)	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Evo 250Gb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Samsung 960 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	7.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Seagate Xbox Series 512Gb

بي إن واي VS مايكروسوفت

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Seagate Xbox Series 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين		منفذ خاص (مخصص)
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	5 * 76 * 139 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	68 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-	متوافق مع وحدات تحكم Xbox Series X و S / بنية Xbox Velocity لزيادة سرعة التخزين

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Samsung 960 Pro 1Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Samsung 960 Pro 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	8.5 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Samsung 860 Evo 1Tb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Samsung 860 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	true
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.8 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	86 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP Service Pack 2 والإصدارات الأحدث / Windows Server 2003 Service Pack 2 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingston A400 240Gbمع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	Kingston A400 240Gb	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	350 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 80 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	0.279 واط في المتوسط / 0.642 واط في وضع القراءة / 1.535 واط في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	41 جرام (g)	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Samsung 860 Pro 512Gb

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Samsung 860 Pro 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	100 x 69.8 x 6.8 مم
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	51 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

بي إن واي VS بلو

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	525 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	37.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb

بي إن واي VS سيغيت

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	47 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع PNY Pro Elite USB 3.1 Gen 2 بسعة 1 تيرابايت

بي إن واي VS بي إن واي

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	PNY Pro Elite USB 3.1 Gen 2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	890 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	880 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	10.9 * 57.15 * 63.5 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.1 Gen 2
الأنظمة المتوافقة	-	Windows / macOS
الميزات الإضافية	-	برنامج Acronis True Image Data Protection
مادة الهيكل	-	ألومنيوم
محتويات العلبة	-	كابل Type-C إلى Type-A واحد / كابل Type-C إلى Type-C واحد

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت

بي إن واي VS سامسونغ

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	Samsung 750EVO SATA 2.5 بوصة بسعة 250 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	true
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 70 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	45 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
تقنية التشفير	-

عرض تفاصيل المقارنة