صفحة 4 من المقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	1.6 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

كليف VS بي إن واي

الميزة	محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4800 MB/s	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	560000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	615000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1400	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	10 g	6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
الشهادات والتصديقات	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	5 V

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4200 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	600
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

جيجابايت VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	2 TB
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	480	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7 g	6.6 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
الشهادات والتصديقات	CE, RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5"
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	58 g
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	30000 IOPS
خيارات الألوان	-	Siyah

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

بي إن واي VS سيجيت

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D cMLC
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (22 * 110 * 2 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	14 g
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	28000 IOPS
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2230 Nvme M2 500Gbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

بي إن واي VS سيجيت

الميزة	Pny Cs2230 Nvme M2 500Gb	SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 280 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2500000 saat
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	205 g
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	195000 IOPS
الجهد التشغيلي	-	12 V

عرض تفاصيل المقارنة