مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 100 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال -
الأنظمة المتوافقة -
الميزات الإضافية -

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع

الميزة

Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 100 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
الأنظمة المتوافقة - كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية - تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير -
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
استهلاك الطاقة - فعال

مقارنة مع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

الميزة

Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
دعم TRIM نعم false
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف -
الحجم والأبعاد M.2 2280 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
وزن المنتج - 100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة مع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

الميزة

Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري -
الحجم والأبعاد M.2 2280 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
وزن المنتج - 100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع

الميزة

Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM false نعم
دعم NCQ false نعم
دعم TRIM false نعم
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true نعم
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج 100 جرام (g) تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
العمر الافتراضي المتوسط - غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية - برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير - تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان - أسود
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة - أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 3504 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 69 g 100 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 MB/s
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true true
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج 100 جرام (g) 50 g
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الشهادات والتصديقات - RoHS

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

الميزة

كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5800 MB/s 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2700000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 300000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 146.2 g 100 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

علامة تجارية غير معروفة VS بي إن واي
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 -
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g 100 جرام (g)
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
دعم S.M.A.R.T true true
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
وزن المنتج - 100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 100 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 100 جرام (g)
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
مؤشر الحالة LED - false