صفحة 2 من المقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
خيارات الألوان	-	Siyah
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5000 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	640	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.8 g	100 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

بي إن واي VS سيجيت

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	40 g
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1800000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	97000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	31000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 g	100 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

ديل VS بي إن واي

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	1.6 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
وزن المنتج	-	100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.5 g	100 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	8 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	46 g
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	81000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
وزن المنتج	-	100 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs2140 Nvme M2 500Gbمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

بي إن واي VS سيجيت

الميزة	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
وزن المنتج	100 جرام (g)	50 g
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb

علامة تجارية غير معروفة VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI818	Pny Cs2140 Nvme M2 500Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4700 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1200	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	100 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة