صفحة 3 من المقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايتمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 2 تيرابايت

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 MB/s 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 640 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايتمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14200 MB/s 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 11000 MB/s 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2150000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.3 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7300 MB/s 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6000 MB/s 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 700 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 480 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 82000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 47500 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
دعم S.M.A.R.T true false
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g -
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

الميزة

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 MB/s
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false true
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false true
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 8 g

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

علامة تجارية غير معروفة VS بي إن واي
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 -
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true false
دعم TRIM true false
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

سعة الذاكرة 1.92 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true false
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

الميزة

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb) 15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7200 MB/s
ذاكرة DRAM false -
دعم NCQ false -
دعم TRIM false -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الحجم والأبعاد 4 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
مؤشر الحالة LED false -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 195000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 2500000 saat
الجهد التشغيلي - 12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 205 g

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

علامة تجارية غير معروفة VS بي إن واي
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 600 -
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 6 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت

PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

سعة الذاكرة 1 TB 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4000 MB/s 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 320 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج 2.8 g -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم TRIM - false
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
مؤشر الحالة LED - false