صفحة 2 من المقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

إتش بي VS بي إن واي

الميزة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
وزن المنتج	34.4 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049 {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	240 GB	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	250 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	78000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	26000 IOPS	-
الحجم والأبعاد	M.2	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	512 GB	1 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.5 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

كروشيال VS بي إن واي

الميزة		PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	-	1 تيرابايت (tb)
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758 {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 76 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	500 GB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	160	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.6 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	440000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	9 g
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

بي إن واي VS سيجيت

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	50 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايتمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	4 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	14800 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	14000 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	2200000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.7 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	8 g
خيارات الألوان	-	Siyah
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة