مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

بي إن واي VS سيجيت

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1800000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	40 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00 {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

فيليبس VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	240 GB	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	450 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	360 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
الجهد التشغيلي	5 V	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 70 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	38.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	960 GB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	81000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	false
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818 {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

علامة تجارية غير معروفة VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI818	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4700 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1200	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	7.68 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	10000 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2800000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	500000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	151.3 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخليمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

إتش بي VS بي إن واي

الميزة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
وزن المنتج	34.4 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049 {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	240 GB	1 تيرابايت (tb)
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	250 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	78000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	26000 IOPS	-
الحجم والأبعاد	M.2	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)$

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	512 GB	1 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.5 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

كروشيال VS بي إن واي

الميزة		PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	-	1 تيرابايت (tb)
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758 {request()->input('language_config')['common']['with']} PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت$

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 76 °C	-
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة