مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6,900 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	-
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe Gen4
الأنظمة المتوافقة	-	Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الميزات الإضافية	-	برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	1.92 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	94000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	78000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	3504	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	69 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

إتش بي VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
وزن المنتج	164 g	-
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

لينوفو VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	1.92 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	false
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	5 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

بي إن واي VS سامسونج

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4200 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
العمر الافتراضي المتوسط	-	600
الشهادات والتصديقات	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

كينغستون VS بي إن واي

الميزة	كينغستون 3.84 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	3.84 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	5800 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2700000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	300000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	146.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

أداتا VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1480	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	12 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

ديل VS بي إن واي

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
سعة الذاكرة	3.84 TB	1 تيرابايت (tb)
الحجم والأبعاد	2.5"	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

جيجابايت VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

علامة تجارية غير معروفة VS بي إن واي

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

بي إن واي VS سيجيت

الميزة	PNY CS2140 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		QLC 3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	500 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	false	true
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1800000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	40 g
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة