صفحة 7 من المقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 1Tb

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Pro 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	8.5 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 512Gb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Pro 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	8.3 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Crucial Bx500 480Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

كروشيال VS ميكرون

الميزة	Crucial Bx500 480Gb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	7 * 95 * 125 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	70 جرام (g)	476.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Seagate Xbox Series 512Gb

ميكرون VS مايكروسوفت

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Seagate Xbox Series 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين		منفذ خاص (مخصص)
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	68 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-	متوافق مع وحدات تحكم Xbox Series X و S / بنية Xbox Velocity لزيادة سرعة التخزين
الحجم والأبعاد	-	5 * 76 * 139 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 2Tb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Pro 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 850 Evo 500Gb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 850 Evo 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Evo 1Tb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 860 Evo 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	true
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	86 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP Service Pack 2 والإصدارات الأحدث / Windows Server 2003 Service Pack 2 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد	-	6.8 * 69.8 * 100 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 500Gb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Evo 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Pro 512Gb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 860 Pro 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	51 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	100 x 69.8 x 6.8 مم

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingspec Nt M2 2280 512Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

كينغسبيك VS ميكرون

الميزة	Kingspec Nt M2 2280 512Gb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	-
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 349 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	-
الحجم والأبعاد	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
وزن المنتج	-	476.9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

ميكرون VS بي إن واي

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6850 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Premier Pro Sp900 256Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

أدا VS ميكرون

الميزة	Adata Premier Pro Sp900 256Gb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	545 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	535 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	0.9 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	-
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	68 جرام (g)	476.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-

عرض تفاصيل المقارنة