مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي فيليبس FM24SS120B/00

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 450 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 360 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 38.2 g
مؤشر الحالة LED false -
الجهد التشغيلي - 5 V
الحجم والأبعاد - 2.5" (100 * 7 * 70 mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false -
دعم RAID false -
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 9 g
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد - M.2
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS ميكرون
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1200 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) -
وزن المنتج 7.5 g 476.9 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - false
دعم RAID - false
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 47 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)

مقارنة Kingston Ssdnow Uv400 480Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Kingston Ssdnow Uv400 480Gb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 200 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 0.59 واط في وضع القراءة / 2.515 واط في وضع الكتابة / 0.693 واط في المتوسط / 0.672 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 57 جرام (g) 476.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
محتويات العلبة حافظة خاصة لاستخدام الذاكرة كوحدة تخزين خارجية / فاصل 7 مم إلى 9.5 مم لزيادة ارتفاع SSD / حامل 3.5 بوصة للتركيب في الكيس / كابل USB / كابل SATA / كابل بيانات / رقم تسلسلي لتنزيل برنامج Acronis Data Migration -

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 100 x 69.85 x 6.8 مم

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 6800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false true
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Adata Xpg Sx900 128Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Adata Xpg Sx900 128Gb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true -
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 68 جرام (g) 476.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 1275 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 47 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة - 6.5 واط في الوضع النشط / 0.016 واط في وضع الخمول
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 260 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ false false
دعم RAID false true
وزن المنتج 476.9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الحجم والأبعاد - 10 * 80 * 100 مليمتر (mm)

مقارنة Lexar Ns100 512Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Lexar Ns100 512Gb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 256 (TBW) تيرابايت (tb) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM false -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 34 جرام (g) 476.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة الكتابة التسلسلية - 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -