مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6850 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري)

مقارنة Adata Premier Pro Sp900 256Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Adata Premier Pro Sp900 256Gb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 545 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 535 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 إلى 70 درجة مئوية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 0.9 واط في الوضع النشط / 0.5 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ true false
دعم TRIM true -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 68 جرام (g) 476.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -

مقارنة Kingspec Mt Msata 512Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Kingspec Mt Msata 512Gb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 580 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -20 إلى 70 درجة مئوية -
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 698 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول -
الحجم والأبعاد 3.5 * 30 * 50.8 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 41 جرام (g) 476.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 168 (TBW) تيرابايت (tb) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 34 جرام (g) 476.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة الكتابة التسلسلية - 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم NCQ false false
دعم RAID false true
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي -
العمر الافتراضي المتوسط 336 (TBW) تيرابايت (tb) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ true false
دعم TRIM true -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 34 جرام (g) 476.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة الكتابة التسلسلية - 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 250Gb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Evo 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 7.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 9 * 95 * 125 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 70 جرام (g) 476.9 جرام (g)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 1Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung PM1643a SATA 2.5 بوصة بسعة 3.84 تيرابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung PM1643a SATA 2.5 بوصة بسعة 3.84 تيرابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 3.84 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 160 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - false

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 983 DCT NVMe M.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1366 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 20 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false -
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة - 8 واط في الوضع النشط / 2.6 واط في وضع الخمول
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 110.2 x 22 x 38 مم

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Silicon Power PC60 USB 3.2 بسعة 960 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 46 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - false
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث / Mac OS الإصدار 10.3 والإصدارات الأحدث / Linux kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 6 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل - بلاستيك
الحجم والأبعاد - 11.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-A