صفحة 16 من المقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	5.5 واط في وضع القراءة / 5.8 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

ميكرون VS أدا

الميزة	Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	13.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	8 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

ميكرون VS أدا

الميزة	Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	true
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

ميكرون VS أدا

الميزة	Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	31 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	true
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	5 فولت (v)
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 9 والإصدارات الأحدث / Linux 2.6 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	يدعم آيباد وماك بوك ووحدات تحكم الألعاب
الحجم والأبعاد	-	12.25 * 35 * 64.8 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	-	كابل USB-C إلى USB-C / كابل USB-C إلى USB-A / دليل المستخدم

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Sd600Q 960Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

ميكرون VS أدا

الميزة	Adata Sd600Q 960Gb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	440 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	430 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	-
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	60 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	true
نوع الاتصال	-	Micro-B إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 1
وحدة التحكم	-
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows الإصدار 8 والإصدارات الأحدث / macOS X الإصدار 10.6 والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6 والإصدارات الأحدث / Android 5.0 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	يدعم ذاكرة التخزين المؤقت الذكية SLC / مقاوم للاهتزاز والصدمات من ارتفاع 1.22 متر / يدعم وحدات تحكم ألعاب Xbox One و PlayStation 4
الشهادات والتصديقات	-	المعيار العسكري MIL-STD-810G 516.6 / FCC، CE، KC، EAC، BSMI، RoHS
مادة الهيكل	-	بلاستيك
الحجم والأبعاد	-	15.2 * 80 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

ميكرون VS أدا

الميزة	Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 370 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	true
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	10 جرام (مع المشتت الحراري) ** 6 جرام (بدون المشتت الحراري)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع السكون (Slumber)
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	4.3 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري) / 3.3 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	5 واط في وضع القراءة / 4.2 واط في وضع الكتابة / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 970 Pro M2 1Tb

ميكرون VS سامسونغ

الميزة	Micron 3400 Nvme M2 512Gb	Samsung 970 Pro M2 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2700 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة	-	5.2 واط في وضع القراءة / 5.7 واط في وضع الكتابة / 8.5 واط في الوضع الأقصى / 0.03 واط في وضع الاستعداد
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	مناسب للألعاب / برنامج Magician Software لـ SSD
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nm620 Nvme M2 1Tbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

ميكرون VS ليكسار

الميزة	Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb	Micron 3400 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,500,000 ساعة (MTBF) / 500 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
وزن المنتج	476.9 جرام (g)	9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
وحدة التحكم	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
الحجم والأبعاد	-	2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة