صفحة 15 من المقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Twinmos Nvme M 2 1Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Twinmos Nvme M 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows XP والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات -

مقارنة Hp Ex950 Nvme M2 1Tbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Hp Ex950 Nvme M2 1Tb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 650 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false true
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 5.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة - 6.93 واط في الوضع النشط / 0.73 واط في وضع الخمول
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 3.8 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Team Group T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 بسعة 512 جيجابايت

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار Vista والإصدارات الأحدث / Linux Kernel 2.6.33 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد - 3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Corsair Mp700 Pro Heatsink Nvme M2 2Tb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 12400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 11800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 11 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 10, 11 / macOS X
الميزات الإضافية -

مقارنة Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Corsair Mp600 Pro Xt Nvme M2 4Tb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,800,000 ساعة (MTBF) / 3000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 660 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -

مقارنة Lexar Nm620 Nvme M2 512Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Lexar Nm620 Nvme M2 512Gb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 250 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد - 2.25 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 إلى 70 درجة مئوية
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية - خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الحجم والأبعاد - 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 45 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Sandisk Extreme Sdssde61 Usb 32 Gen 2 1Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Sandisk Extreme Sdssde61 Usb 32 Gen 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 52 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false true
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - false
الأنظمة المتوافقة - Windows الإصدار 8 والإصدارات الأحدث / macOS X الإصدار 10.6 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
مادة الهيكل - بلاستيك
خيارات الألوان - أسود، أزرق، أخضر
الحجم والأبعاد - 9.6 * 52.5 * 100.8 مليمتر (mm)
محتويات العلبة - كابل USB Type C إلى USB Type C / محول USB Type C إلى USB Type A / دليل المستخدم

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1050 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 98 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نوع الاتصال - Type-C إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 2
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - false
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية -
الشهادات والتصديقات -
خيارات الألوان - أسود، أزرق، رمادي (توب)
الحجم والأبعاد - 13 * 59 * 88 مليمتر (mm)
محتويات العلبة - كابل USB Type-C إلى USB Type-C / كابل USB Type-C إلى USB Type-A / دليل المستخدم (ملاحظة: مكرر)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 160 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false true
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 11 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة - 0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - false
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 6.1 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 1480 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 7 جرام (بدون المشتت الحراري) ** 10 جرام (مع المشتت الحراري)
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 3.3 × 22 × 80 مم (بدون مبدد حراري) / 4.3 × 22 × 80 مم (مع مبدد حراري)