صفحة 2 من المقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Adata Xpg Sx900 256Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Adata Xpg Sx900 256Gb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false false
دعم TRIM true -
دعم RAID true false
دعم S.M.A.R.T true -
الأنظمة المتوافقة Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux -
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 68 جرام (g) 476.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Qvo 1Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 860 Qvo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 62 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 970 Evo 250Gb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 970 Evo 250Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 8 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false true
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 6.6 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows 7 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية - خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد - 4 * 22 * 80 مليمتر (mm)

مقارنة Kingston A400 240Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Kingston A400 240Gb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 350 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,000,000 ساعة (MTBF) / 80 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة 0.279 واط في المتوسط / 0.642 واط في وضع القراءة / 1.535 واط في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد -
دعم NCQ false false
دعم TRIM false -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T false -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 41 جرام (g) 476.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 1Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Pro 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 800 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 8.5 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 512Gb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Pro 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 8.3 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

مقارنة Crucial Bx500 480Gbمع Micron 3400 Nvme M2 512Gb

الميزة

Crucial Bx500 480Gb

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 540 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 500 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM false false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 ساعة (MTTF) / 120 تيرابايت مكتوبة (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ false false
دعم TRIM true -
دعم RAID false false
دعم S.M.A.R.T true -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 7 * 95 * 125 مليمتر (mm) -
وزن المنتج 70 جرام (g) 476.9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Seagate Xbox Series 512Gb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Seagate Xbox Series 512Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين منفذ خاص (مخصص)
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات -
ذاكرة DRAM false false
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 68 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
دعم TRIM - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية - متوافق مع وحدات تحكم Xbox Series X و S / بنية Xbox Velocity لزيادة سرعة التخزين
الحجم والأبعاد - 5 * 76 * 139 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 2Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 960 Pro 2Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 850 Evo 500Gb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 850 Evo 500Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 540 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false false
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 54.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)

مقارنة Micron 3400 Nvme M2 512Gbمع Samsung 860 Evo 1Tb

الميزة

Micron 3400 Nvme M2 512Gb

Samsung 860 Evo 1Tb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة
سعة الذاكرة 1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية 3753 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2600 ميجابايت في الثانية (mb/s) 520 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM false true
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 (MTBF) ساعة (h) 1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ false false
دعم RAID false true
وزن المنتج 476.9 جرام (g) 86 جرام (g)
مؤشر الحالة LED false false
وحدة التحكم -
نوع الذاكرة DRAM -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية -
استهلاك الطاقة -
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الأنظمة المتوافقة - Windows XP Service Pack 2 والإصدارات الأحدث / Windows Server 2003 Service Pack 2 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد - 6.8 * 69.8 * 100 مليمتر (mm)