مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

علامة تجارية غير معروفة VS كينغستون
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 3400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 600 1500000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2230 (22 x 30 mm)
وزن المنتج 6 g -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 690000 IOPS

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

سعة الذاكرة 512 GB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC QLC
سرعة القراءة التسلسلية 4700 MB/s 560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3400 MB/s 530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS 88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الجهد التشغيلي - 5 V
وزن المنتج - 46 g

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

سعة الذاكرة 512 GB 240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC -
سرعة القراءة التسلسلية 4700 MB/s 540 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3400 MB/s 250 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS 78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS 26000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) M.2
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes No
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

سعة الذاكرة 512 GB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC -
سرعة القراءة التسلسلية 4700 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 3400 MB/s -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 76 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
وزن المنتج - 9 g

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

سعة الذاكرة 512 GB 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 4700 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 3400 MB/s -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS 97000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS 31000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) 2.5" (70 * 100 * 7 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
وزن المنتج - 70 g
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

سعة الذاكرة 512 GB 2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC TLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 4700 MB/s 7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 3400 MB/s 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) M.2 2280
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes PCIe Gen4 x4؛ NVMe
نوع استخدام الذاكرة Dahili ألعاب؛ لابتوب
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
الأنظمة المتوافقة - Windows (لوظيفة لوحة التحكم)
الميزات الإضافية - برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
تصميم وأبعاد الجهاز - عامل شكل M.2 2280

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

سعة الذاكرة 512 GB 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC Samsung V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية 4700 MB/s تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 3400 MB/s تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع استخدام الذاكرة Dahili SSD داخلي
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
ذاكرة DRAM - نعم
وحدة التحكم - Samsung Elpis Controller
دعم NCQ - نعم
دعم TRIM - نعم
دعم S.M.A.R.T - نعم
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
الميزات الإضافية - برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير - تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان - أسود
وزن المنتج - تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
تصميم وأبعاد الجهاز - عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة - أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

سعة الذاكرة 512 GB 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC 3D cMLC
سرعة القراءة التسلسلية 4700 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 3400 MB/s -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS 245000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS 28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) M.2 (22 * 110 * 2 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
وزن المنتج - 14 g
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

علامة تجارية غير معروفة VS كينغستون
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 3400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1500000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2230 (22 x 30 mm)
وزن المنتج 7.5 g -
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 690000 IOPS

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

سعة الذاكرة 512 GB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC TLC
سرعة القراءة التسلسلية 4700 MB/s 3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3400 MB/s 2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS 380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS 440000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) M.2
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
وزن المنتج - 9 g
خيارات الألوان - Black, Green

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

KingSpec 512GB NVMe Gen3x4 SSD M.2 2280

نوع استخدام الذاكرة محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe Gen3x4 Yes
نوع الاتصال NVMe Gen3x4 -
سعة الذاكرة 512 جيجابايت 512 GB
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية 4700 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC) TLC
وحدة التحكم وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة -
دعم TRIM نعم -
دعم S.M.A.R.T نعم -
الأنظمة المتوافقة Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu -
الميزات الإضافية تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف -
الحجم والأبعاد M.2 2280 2230 (22 x 30 mm)
محتويات العلبة SSD، وثائق -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 -
سرعة الكتابة التسلسلية - 3400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 690000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

سعة الذاكرة 3.84 TB 512 GB
الحجم والأبعاد 2.5" 2230 (22 x 30 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير No -
مواصفات ذاكرة الفلاش - TLC
سرعة القراءة التسلسلية - 4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 3400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 690000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes