صفحة 2 من المقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Kingston Technology 1T FURY RENEGADE G5 M.2 2280 NVMe SSDمع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الميزة

Kingston Technology 1T FURY RENEGADE G5 M.2 2280 NVMe SSD

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2230 (22 x 30 mm)
وزن المنتج 7.3 g -
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14200 MB/s 4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 11000 MB/s 3400 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2150000 IOPS 690000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع Samsung PM883

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

Samsung PM883

الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) 2.5"
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes -
سعة الذاكرة 512 GB 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC -
سرعة القراءة التسلسلية 4700 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3400 MB/s 520 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat -
وزن المنتج - 58 g
خيارات الألوان - أسود

مقارنة Kingston Technology 1920G DC600M (Mixed-Use) 2.5” Enterprise SATA SSDمع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الميزة

Kingston Technology 1920G DC600M (Mixed-Use) 2.5” Enterprise SATA SSD

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) 2230 (22 x 30 mm)
وزن المنتج 69 g -
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
سعة الذاكرة 1.92 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 3400 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS 690000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 3504 1500000 saat
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
سعة الذاكرة 512 GB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 4700 MB/s 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3400 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
وزن المنتج - 9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gbمع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الميزة

Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 1950 ميجابايت في الثانية (mb/s) 4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الجهد التشغيلي 3.3 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW) 1500000 saat
استهلاك الطاقة 3.5 واط في الوضع النشط -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 22 * 80 مليمتر (mm) 2230 (22 x 30 mm)
وزن المنتج 10 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة AGI Technology AI828مع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

علامة تجارية غير معروفة VS كينغستون
الميزة

AGI Technology AI828

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 2230 (22 x 30 mm)
وزن المنتج 7.5 g -
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
سعة الذاكرة 2 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 3400 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1500000 saat
الجهد التشغيلي 3.3 V -
دعم TRIM true -
دعم S.M.A.R.T true -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 690000 IOPS

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
سعة الذاكرة 512 GB 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 4700 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 3400 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Kingston Technology 1000G NV3 M.2 2230 NVMe SSDمع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الميزة

Kingston Technology 1000G NV3 M.2 2230 NVMe SSD

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2230 (22 x 30 mm)
وزن المنتج 2.8 g -
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
سعة الذاكرة 1 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 6000 MB/s 4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4000 MB/s 3400 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 320 1500000 saat
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 690000 IOPS

مقارنة HP Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 SSD Kitمع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الميزة

HP Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 SSD Kit

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 2230 (22 x 30 mm)
وزن المنتج 164 g -
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
محتويات العلبة Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
منفذ الاتصال بالذاكرة - PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
سعة الذاكرة - 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش - TLC
سرعة القراءة التسلسلية - 4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 3400 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 690000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1500000 saat

مقارنة Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state driveمع Samsung 990 EVO

الميزة

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

Samsung 990 EVO

الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) 2280 (22 x 80 mm)
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
سعة الذاكرة 512 GB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 4700 MB/s 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3400 MB/s 4200 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 460000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 690000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 600
دعم TRIM - true
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير - Yes
الشهادات والتصديقات - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقارنة Kingston Technology 4T FURY RENEGADE G5 M.2 2280 NVMe SSDمع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الميزة

Kingston Technology 4T FURY RENEGADE G5 M.2 2280 NVMe SSD

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm) 2230 (22 x 30 mm)
وزن المنتج 7.7 g -
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
سعة الذاكرة 4 TB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC TLC
سرعة القراءة التسلسلية 14800 MB/s 4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 14000 MB/s 3400 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 2200000 IOPS 690000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1500000 saat

مقارنة Kingston Technology 500G NV3 M.2 2230 NVMe SSDمع Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الميزة

Kingston Technology 500G NV3 M.2 2230 NVMe SSD

Kingston Technology OM3PGP4512Q-A0 internal solid state drive

الحجم والأبعاد 2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm) 2230 (22 x 30 mm)
وزن المنتج 2.6 g -
نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
سعة الذاكرة 500 GB 512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 5000 MB/s 4700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 3000 MB/s 3400 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 160 1500000 saat
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 460000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 690000 IOPS