الصفحة 2 من مقارنة تخزين البيانات والأقراص

تم إعداد 7 مقارنة لك في هذه الصفحة

$المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb$

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb	Samsung T7 Shield Usb 32 Gen 2 1Tb
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول	10 گرم	98 گرم
حافظه DRAM	false	false
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-

عرض تفاصيل المقارنة

$المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb$

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb	Samsung 980 Pro Nvme M2 1Tb
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI 2263	Samsung Elpis

عرض تفاصيل المقارنة

$المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb$

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb

إنتل VS أدا

الميزة	Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb	Adata Xpg Gammix S70 Blade Nvme M2 512Gb
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	10 گرم	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	SMI 2263	-

عرض تفاصيل المقارنة

$المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb$

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb

إنتل VS إكس بي جي

الميزة	Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb	Xpg Gammix S11 Pro Pcie Gen3X4 M2 2280 256Gb
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	290,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
کنترلر (Controller)	SMI 2263	SMI SM2262EN

عرض تفاصيل المقارنة

$المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb$

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 250Gb
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI 2263	Samsung Phoenix

عرض تفاصيل المقارنة

$المقارنة Samsung 970 Pro M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb$

المقارنة Samsung 970 Pro M2 1Tbمع Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

سامسونغ VS إنتل

الميزة	Samsung 970 Pro M2 1Tb	Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	10 گرم
میزان توان مصرفی	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	IMFT 64L 3D QLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix Controller	SMI 2263

عرض تفاصيل المقارنة

$المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb$

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb	Samsung 970 Evo Plus Pcie M2 1Tb
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 200ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	IMFT 64L 3D QLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI 2263	Samsung Phoenix

عرض تفاصيل المقارنة