المقارنة تخزين البيانات والأقراص

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Adata Sd600Q 960Gb

الميزة

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Adata Sd600Q 960Gb

نشانگر وضعیت LED ندارد دارد
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از RAID ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM ندارد ندارد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها - - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 22 × 80 میلی‌متر 15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 10 گرم 60 گرم
حافظه DRAM ندارد ندارد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) - 200ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI 2263 Maxio Technology MAS0902A

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Samsung 980 Nvme M2 1Tb

الميزة

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Samsung 980 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED ندارد -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از RAID ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T ندارد دارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM ندارد دارد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM ندارد ندارد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) - 200ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2263 Samsung In-House Controller

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb

الميزة

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Lexar Nm620 Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از NCQ ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از RAID ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM ندارد ندارد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 × 80 میلی‌متر 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9 گرم
حافظه DRAM ندارد ندارد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 256,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) - 200ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI 2263 DM620

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

الميزة

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Samsung 870 Evo Sata 2 5 Inch 500Gb

نشانگر وضعیت LED ندارد ندارد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از RAID ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T ندارد دارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM ندارد دارد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM ندارد دارد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) - 200ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2263 Samsung MKX

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

الميزة

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Samsung 970 Evo Nvme M2 500Gb

نشانگر وضعیت LED ندارد ندارد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از RAID ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T ندارد دارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM ندارد دارد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM ندارد دارد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) - 200ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2263 Samsung Phoenix

المقارنة Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gbمع Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

الميزة

Samsung 970 Evo Plus Nvme M2 500Gb

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

نشانگر وضعیت LED ندارد ندارد
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از RAID ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T دارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM دارد ندارد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 10 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش -
حافظه DRAM دارد ندارد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) - 1,600,000 ساعت (MTBF) - 200ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC IMFT 64L 3D QLC
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix SMI 2263

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

الميزة

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Adata Xpg Spectrix S40G Pcie M2 256Gb

نشانگر وضعیت LED ندارد ندارد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از RAID ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM ندارد ندارد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 × 80 میلی‌متر 8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی - - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM ندارد دارد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) - 200ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI 2263 -

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

الميزة

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Adata Xpg Gammix S50 Lite Nvme M2 512Gb

نشانگر وضعیت LED ندارد ندارد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از RAID ندارد دارد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T ندارد دارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM ندارد دارد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 × 80 میلی‌متر - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 10 گرم - 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM ندارد دارد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 510,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) - 200ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR4
کنترلر (Controller) SMI 2263 Silicon Motion SM2267EN

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Sandisk Extreme Sdssde61 Usb 32 Gen 2 1Tb

الميزة

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Sandisk Extreme Sdssde61 Usb 32 Gen 2 1Tb

محتویات جعبه - - کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED ندارد دارد
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از RAID ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM ندارد ندارد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 22 × 80 میلی‌متر 9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 10 گرم 52 گرم
حافظه DRAM ندارد ندارد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) - 200ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) SMI 2263 -

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

الميزة

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Samsung 980 Pro Nvme M2 250Gb

نشانگر وضعیت LED ندارد ندارد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از RAID ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T ندارد دارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM ندارد دارد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - - 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM ندارد دارد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) - 200ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2263 Samsung Elpis

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

الميزة

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Adata Xpg Sx8200 Pro Pcie M2 256Gb

نشانگر وضعیت LED ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از NCQ ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از RAID ندارد دارد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM ندارد ندارد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 22 × 80 میلی‌متر 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM ندارد دارد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) - 200ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3
کنترلر (Controller) SMI 2263 SMI SM2262EN

المقارنة Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tbمع Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb

الميزة

Intel Ssd 660P Series Nvme M2 1Tb

Adata Elite Se880 Usb 32 Gen 2X2 500Gb

محتویات جعبه - - کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED ندارد دارد
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از RAID ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T ندارد ندارد
قابلیت پشتیبانی از TRIM ندارد ندارد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1000G میلی‌ثانیه پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 22 × 80 میلی‌متر 12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم 31 گرم
حافظه DRAM ندارد ندارد
طول عمر متوسط - 1,600,000 ساعت (MTBF) - 200ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) IMFT 64L 3D QLC -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) SMI 2263 -