صفحة 6 من المقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 970 Evo 250Gb

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung 970 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت

إنتل VS سيلكون باور

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Silicon Power P34A80 NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	true
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1655 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	3.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	8 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Pro 2Tb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Pro 2Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1200 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Samsung 960 Evo 250Gb

إنتل VS سامسونغ

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Samsung 960 Evo 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	true
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 ساعة (MTBF) / 100 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الحجم والأبعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	7.7 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb

إنتل VS سيغيت

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,800,000 ساعة (MTBF) / 1275 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	6.5 واط في الوضع النشط / 0.016 واط في وضع الخمول
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	47 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb

إنتل VS ليكسار

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	true
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	168 (TBW) تيرابايت (tb)
دعم TRIM	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	34 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tbمع Intel 670P Nvme M2 512Gb

كروشيال VS إنتل

الميزة	Crucial Bx500 Sata 2 5 Inch 2Tb	Intel 670P Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 720 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	-
الشهادات والتصديقات		-
الحجم والأبعاد	9 * 95 * 125 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	70 جرام (g)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Toshiba Canvio Ready USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت

إنتل VS توشيبا

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Toshiba Canvio Ready USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الاتصال	-	Micro-B إلى Type-A من نوع USB 3.2 Gen 1
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.13 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	NTFS / سرعة نقل بيانات 5 جيجابت في الثانية
الحجم والأبعاد	-	19.5 * 78 * 109 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	2175 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع شيشو XS880 mSATA سعة 256 جيجابايت

إنتل VS إكسشوا

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	شيشو XS880 mSATA سعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7, 8, 10 / macOS / Linux
الميزات الإضافية	-	معايير FCC, CE, ROHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع ويسترن ديجيتال WD_BLACK P50 Game Drive سعة 500 جيجابايت

إنتل VS ويسترن ديجيتال

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	ويسترن ديجيتال WD_BLACK P50 Game Drive سعة 500 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	خارجي
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	false
دعم NCQ	false	false
دعم RAID	false	false
مؤشر الحالة LED	false	false
نوع الاتصال	-	Type-C إلى Type-C من نوع USB 3.2 Gen 2
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
دعم TRIM	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 8.1 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.11 والإصدارات الأحدث / PlayStation 5 / PlayStation 4 Pro / PlayStation 4 مع برنامج إصدار 4 والإصدارات الأحدث / Xbox Series S و X / Xbox One
الحجم والأبعاد	-	14 * 62 * 118 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	115 جرام (g)
محتويات العلبة	-	كابل USB Type-C إلى USB Type-C / كابل USB Type-C إلى USB Type-A (ملاحظة: مكرر)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع زاداك TWSG3 NVMe M.2 سعة 256 جيجابايت

إنتل VS زاداك

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	زاداك TWSG3 NVMe M.2 سعة 256 جيجابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
الحجم والأبعاد	-	2.5 * 22 * 80 مليمتر (mm)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع Toshiba Canvio Basic USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت

إنتل VS توشيبا

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	Toshiba Canvio Basic USB 3.2 بسعة 4 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	-
منفذ الاتصال بالذاكرة		-
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		-
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة