مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D eTLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		195000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2500000 saat
الجهد التشغيلي	-	12 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)
وزن المنتج	-	205 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

إنتل VS لينوفو

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		28000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
دعم S.M.A.R.T	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

إنتل VS سامسونج

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		TLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		380000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		440000 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	M.2
وزن المنتج	-	9 g
خيارات الألوان	-	Black, Green

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

إنتل VS لينوفو

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 76 °C
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	9 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Intel 670P Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS إنتل

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Intel 670P Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	-
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع Intel 670P Nvme M2 512Gb

جيجابايت VS إنتل

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	Intel 670P Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	700	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع Intel 670P Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS إنتل

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI298	Intel 670P Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	-
وزن المنتج	6 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-	Silicon Motion SM2265G
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

إنتل VS سامسونج

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

إنتل VS سامسونج

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND TLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
العمر الافتراضي المتوسط	-	600
الحجم والأبعاد	-	2280 (22 x 80 mm)
الشهادات والتصديقات	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

إنتل VS سامسونج

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2500 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
الجهد التشغيلي	-	3.3 V
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	8 g
خيارات الألوان	-	Siyah
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661

إنتل VS لينوفو

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		-
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 80 °C
الحجم والأبعاد	-	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	6.5 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Intel 670P Nvme M2 512Gbمع سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

إنتل VS سامسونج

الميزة	Intel 670P Nvme M2 512Gb	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		V-NAND MLC
وحدة التحكم	Silicon Motion SM2265G	-
سرعة القراءة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	false	-
دعم NCQ	false	-
دعم RAID	false	-
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
العمر الافتراضي المتوسط	-	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	-	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)
وزن المنتج	-	8 g

عرض تفاصيل المقارنة