صفحة 3 من المقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني$

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

أداتا VS جودرام

الميزة	قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	2 TB	256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	480 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS	61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1480	180
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
وزن المنتج	12 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb

جودرام VS إم إس آي

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	Msi Spatium M460 Nvme M2 1Tb
سعة الذاكرة	256 GB	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	4500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	1,500,000 ساعة (MTBF) / 600 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.15 x 22 x 80 مم
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	ترميز LPDC / خوارزمية رمز تصحيح الخطأ (ECC) / ميزة Pyrite لتشفير وأمن البيانات
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb

جودرام VS إم إس آي

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	Msi Spatium M570 Hs Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	256 GB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	10000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	3.5 x 22 x 80 مم (بدون مبدد حراري) / 20.4 x 23 x 80.4 مم (مع مبدد حراري)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-	DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت
استهلاك الطاقة	-	أقصى استهلاك 11 واط عند الاستخدام
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb

جودرام VS إم إس آي

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	Msi Spatium M450 Nvme M2 500Gb
سعة الذاكرة	256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3600 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	2300 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	1,500,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875

جودرام VS لينوفو

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875
سعة الذاكرة	256 GB	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	-
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي

جودرام VS لينوفو

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي
سعة الذاكرة	256 GB	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	-
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	-	true

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

جودرام VS لينوفو

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي
سعة الذاكرة	256 GB	512 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	-
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	6900 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	4400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	180	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 80 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
وزن المنتج	-	7.2 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني$

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

ديل VS جودرام

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني
سعة الذاكرة	3.84 TB	256 GB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	No	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	480 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	180
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

جودرام VS كليف

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي
سعة الذاكرة	256 GB	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	5200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	4800 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	560000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	615000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	1400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
وزن المنتج	-	10 g
الشهادات والتصديقات	-	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

جودرام VS سامسونج

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)
سعة الذاكرة	256 GB	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	88000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	1500000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	-	Yes
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني$

مقارنة قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300مع قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

جيجابايت VS جودرام

الميزة	قرص صلب داخلي جيجابايت اوروس Gen4 7300	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB	256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7300 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 MB/s	480 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	700	180
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	61440 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع

جودرام VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني
سعة الذاكرة	256 GB	1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	أحدث ذاكرة NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	180	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	M.2 2280
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	ذاكرة فلاش NAND
نوع الاتصال	-	NVMe
وحدة التحكم	-	وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
الميزات الإضافية	-	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
تقنية التشفير	-
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
تصميم وأبعاد الجهاز	-	عامل شكل M.2 2280
استهلاك الطاقة	-	فعال

عرض تفاصيل المقارنة