مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني$

مقارنة مع قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

الميزة		قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني
نوع استخدام الذاكرة		Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
نوع الاتصال		-
سعة الذاكرة		256 GB
سرعة القراءة التسلسلية		550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية		480 MB/s
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC NAND
الأنظمة المتوافقة		-
الميزات الإضافية		-
الحجم والأبعاد		2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
محتويات العلبة		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	180
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني$

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

جيجابايت VS جودرام

الميزة	جيجابايت Nvme M2 128Gb	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	1100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 ميجابايت في الثانية (mb/s)	480 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		61440 IOPS
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	180

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb

جودرام VS إم إس آي

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	Msi Spatium M480 Nvme M2 2Tb
سعة الذاكرة	256 GB	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	6800 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
استهلاك الطاقة	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
تقنية التشفير	-
الميزات الإضافية	-	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
وزن المنتج	-	9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت

جودرام VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	TwinMOS NVMe M.2 بسعة 256 جيجابايت
سعة الذاكرة	256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	1,500,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

جودرام VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني$

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

ديل VS جودرام

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني
سعة الذاكرة	1.6 TB	256 GB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	-	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	480 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	180
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع

جودرام VS كينغسبيك

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني
سعة الذاكرة	256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	180	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	-
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili
نوع الاتصال	-
وحدة التحكم	-
دعم TRIM	-
دعم S.M.A.R.T	-
الأنظمة المتوافقة	-
الميزات الإضافية	-
محتويات العلبة	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

علامة تجارية غير معروفة VS جودرام

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	480 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500	180
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	61440 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع

جودرام VS سامسونغ

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني
سعة الذاكرة	256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili
نوع الاتصال	-
ذاكرة DRAM	-
وحدة التحكم	-
دعم NCQ	-
دعم TRIM	-
دعم S.M.A.R.T	-
الأنظمة المتوافقة	-
الميزات الإضافية	-
تقنية التشفير	-
خيارات الألوان	-
وزن المنتج	-
محتويات العلبة	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
استهلاك الطاقة	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

جودرام VS كينغستون

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت
سعة الذاكرة	256 GB	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	14800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	14000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
وزن المنتج	-	7.7 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني {request()->input('language_config')['common']['with']} Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي

جودرام VS سيجيت

الميزة	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي
سعة الذاكرة	256 GB	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	480 MB/s	540 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	65000 IOPS	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	61440 IOPS	90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	180	1400
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
وزن المنتج	-	50 g
دعم S.M.A.R.T	-	true
دعم TRIM	-	true
الشهادات والتصديقات	-	RoHS

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

علامة تجارية غير معروفة VS جودرام

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	No
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	480 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500	180
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	61440 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة