صفحة 2 من المقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

الميزة

قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

سعة الذاكرة 256 GB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 MB/s 4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 65000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 61440 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 180 600
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 69.8 mm) 2280 (22 x 80 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
دعم S.M.A.R.T - true
دعم TRIM - true
الشهادات والتصديقات - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

الميزة

قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 1 تيرابايت

سعة الذاكرة 256 GB 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 14200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 MB/s 11000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 65000 IOPS 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 61440 IOPS 2150000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 180 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 69.8 mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
وزن المنتج - 7.3 g

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

الميزة

قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit محرك أقراص صلبة داخلي

سعة الذاكرة 256 GB -
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s -
سرعة الكتابة التسلسلية 480 MB/s -
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 65000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 61440 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 180 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 69.8 mm) 82 * 30 * 12 mm
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III -
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
وزن المنتج - 34.4 g
محتويات العلبة - HP Z Turbo 512GB PCIe-4x4 Z4/Z6 SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

الميزة

قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

سعة الذاكرة 256 GB 3.84 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 MB/s 520 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 65000 IOPS 98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 61440 IOPS 30000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 180 -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 69.8 mm) 2.5"
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No -
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
وزن المنتج - 58 g
خيارات الألوان - Siyah

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

الميزة

قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

سعة الذاكرة 256 GB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND -
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 2100 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 MB/s 1700 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 65000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 61440 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 180 480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 69.8 mm) M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
وزن المنتج - 7 g
الشهادات والتصديقات - CE, RoHS

مقارنة قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vمع قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

الميزة

قرص صلب داخلي DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

سعة الذاكرة 960 GB 256 GB
الحجم والأبعاد 2.5" 2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة SAS Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية - 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 480 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 180
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
تفاصيل الاتصال بالتخزين - No

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

الميزة

قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

سعة الذاكرة 256 GB 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 14000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 MB/s 10000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 65000 IOPS 2800000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 61440 IOPS 500000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 180 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 69.8 mm) U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 151.3 g

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

الميزة

قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 2 تيرابايت

سعة الذاكرة 256 GB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND 3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 14700 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 480 MB/s 14000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 65000 IOPS 2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 61440 IOPS 2200000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 180 2000000 saat
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 69.8 mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين No Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
وزن المنتج - 7.7 g

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

الميزة

جيجابايت Nvme M2 256Gb

قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 550 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 480 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 61440 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 180
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) 2.5" (100 * 7 * 69.8 mm)
مؤشر الحالة LED false -

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

الميزة

قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

Msi Spatium M480 Pro Nvme M2 2Tb

سعة الذاكرة 256 GB 2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7400 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 MB/s 7000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 180 1,600,000 ساعة (MTBF) / 1400 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 69.8 mm) 2.15 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
نوع الذاكرة DRAM - DDR4 مع ذاكرة تخزين مؤقت 2 جيجابايت
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
تقنية التشفير -
الميزات الإضافية - خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
وزن المنتج - 9.7 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

الميزة

قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

Kingmax Pq3480 Nvme M2 512Gb

سعة الذاكرة 256 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 1950 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 MB/s 1550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 180 2,000,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 69.8 mm) 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 3.3 فولت (v)
استهلاك الطاقة - 3.5 واط في الوضع النشط
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 10 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثانيمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

الميزة

قرص صلب داخلي Goodram CX400 الجيل الثاني

Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

سعة الذاكرة 256 GB 4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 480 MB/s 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 65000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 61440 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 180 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (100 * 7 * 69.8 mm) 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين No
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - true
دعم NCQ - false
دعم TRIM - true
دعم RAID - false
دعم S.M.A.R.T - false
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 9 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false