مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G	Samsung 990 Pro Nvme M2 4Tb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة		4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
استهلاك الطاقة	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
وزن المنتج	-	9 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G {request()->input('language_config')['common']['with']} Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G	Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	true
نوع الذاكرة DRAM
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة	-
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	Samsung V-NAND
وحدة التحكم		Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
ذاكرة DRAM	true	نعم
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
استهلاك الطاقة	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO
دعم NCQ	false	نعم
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
الأنظمة المتوافقة	-	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
تقنية التشفير	-	تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان	-	أسود
وزن المنتج	-	تقريبًا 8.0 جرام
محتويات العلبة	-	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع

جيجابايت VS سامسونغ

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم		وحدة تحكم مطلية بالنيكل
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة	فعال
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe
الأنظمة المتوافقة	-	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
تقنية التشفير	-
محتويات العلبة	-	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع

جيجابايت VS كينغسبيك

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة		M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين		NVMe Gen3x4
تصميم وأبعاد الجهاز		عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة		512 جيجابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم		وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	نعم
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	نعم
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2 2280
مؤشر الحالة LED	false	-
نوع الاتصال	-	NVMe Gen3x4
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
محتويات العلبة	-	SSD، وثائق

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G$

مقارنة مع جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G

كروشيال VS جيجابايت

الميزة		جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND	3D TLC NAND
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box
الحجم والأبعاد	M.2 2280	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	true
نوع الذاكرة DRAM	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	true
دعم S.M.A.R.T	-	true
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G {request()->input('language_config')['common']['with']} Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي

جيجابايت VS بريداتور

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G	Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	7200 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	6300 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		925000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		974000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	7 g
الشهادات والتصديقات	-	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G {request()->input('language_config')['common']['with']} كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت

جيجابايت VS كينغستون

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G	كينغستون FURY Renegade G5 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2280 سعة 4 تيرابايت
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	3D TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14800 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	14000 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		2200000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.3 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	7.7 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G {request()->input('language_config')['common']['with']} قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		-
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	QLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	560 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	530 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		88000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1500000 saat
استهلاك الطاقة	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الجهد التشغيلي	-	5 V
وزن المنتج	-	46 g

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

جيجابايت VS سامسونج

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	4200 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		-
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	600
استهلاك الطاقة	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	Yes
الشهادات والتصديقات	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G {request()->input('language_config')['common']['with']} محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G	محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	V-NAND TLC
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		47500 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2000000 saat
استهلاك الطاقة	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2.5" (70 * 100 * 7 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
تقنية التشفير	-	No

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049$

مقارنة جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500Gمع SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049

جيجابايت VS لينوفو

الميزة	جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G	SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		No
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		240 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND	-
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	5000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	540 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	250 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات		78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات		26000 IOPS
ذاكرة DRAM	true	-
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		-
العمر الافتراضي المتوسط	1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW)	-
استهلاك الطاقة	5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة	-
دعم NCQ	false	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	true	-
دعم S.M.A.R.T	true	-
الميزات الإضافية	خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box	-
الحجم والأبعاد	2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm)	M.2
مؤشر الحالة LED	false	-

عرض تفاصيل المقارنة