جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G
VS
سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
مقارنة الميزات
نوع التخزين
نوع التخزين
| نوع استخدام الذاكرة | داخلي | Dahili |
|---|---|---|
| منفذ الاتصال بالذاكرة | PCI Express 4.0 | |
| تفاصيل الاتصال بالتخزين | Yes |
المواصفات العامة
المواصفات العامة
| تصميم وأبعاد الجهاز | - |
|---|
الميزات الفنية
الميزات الفنية
| سعة الذاكرة | 1 TB | |
|---|---|---|
| مواصفات ذاكرة الفلاش | 3D TLC NAND | V-NAND TLC |
| وحدة التحكم | - | |
| سرعة القراءة التسلسلية | 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) | 5000 MB/s |
| سرعة الكتابة التسلسلية | 2500 ميجابايت في الثانية (mb/s) | 4200 MB/s |
| سرعة القراءة العشوائية للبيانات | - | |
| سرعة الكتابة العشوائية للبيانات | - | |
| ذاكرة DRAM | نعم | - |
| نوع الذاكرة DRAM | - | |
| نطاق درجة الحرارة التشغيلية | - | |
| العمر الافتراضي المتوسط | 1,770,000 ساعة (MTBF) / 850 تيرابايت مكتوبة (TBW) | 600 |
الميزات العامة
الميزات العامة
| استهلاك الطاقة | 5.900 واط في وضع القراءة / 4500 واط في وضع الكتابة | - |
|---|
القدرات
القدرات
| دعم NCQ | لا | - |
|---|---|---|
| دعم TRIM | نعم | نعم |
| دعم RAID | نعم | - |
| دعم S.M.A.R.T | نعم | نعم |
| الميزات الإضافية | خوارزمية LDPC ECC المتقدمة / إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / إمكانية Over Provision لزيادة سرعة الكتابة دون تقليل الأداء / برنامج SSD Tool Box | - |
| تقنية التشفير | - | Yes |
| الشهادات والتصديقات | - | Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA |
الميزات الجمالية
الميزات الجمالية
| الحجم والأبعاد | 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) | 2280 (22 x 80 mm) |
|---|
الميزات والإمكانيات الإضافية
الميزات والإمكانيات الإضافية
| مؤشر الحالة LED | لا | - |
|---|
إخلاء المسؤولية: قد تحتاج المعلومات في هذه الصفحة إلى مراجعة. إذا لاحظت أي تناقض، يرجى الإبلاغ عنه
مقارنة تقييمات المستخدمين
جيجابايت Aorus Gen4 Nvme M2 500Gb Gp Ag4500G
0
/10
من إجمالي 1 تصويت
سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2
0
/10
من إجمالي 1 تصويت
الأسئلة والأجوبة حول هذه المقارنة
لا توجد أسئلة حول هذه المقارنة بعد.
كن أول من يطرح سؤالاً!
سيتم عرض سؤالك بعد الموافقة عليه
