صفحة 5 من المقارنة قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي	قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade
سعة الذاكرة	1 TB	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	540 MB/s	6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	100000 IOPS	750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	90000 IOPS	750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1400	1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)	M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج	50 g	10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
الشهادات والتصديقات	RoHS	-
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

ديل VS إكس بي جي

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade
سعة الذاكرة	1.6 TB	2 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	M.2 (22 mm * 4.3 mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	-	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	-	6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	-	1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	10 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	3400 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	2500 MB/s	6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1480
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج	8 g	10 g
خيارات الألوان	Siyah	-
الشهادات والتصديقات	RoHS	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	1 TB	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	4200 MB/s	6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	600	1480
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm)	M.2 (22 mm * 4.3 mm)
الشهادات والتصديقات	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 - 70 °C
وزن المنتج	-	10 g

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	250 GB	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج	8 g	10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)	قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	4 TB	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1480
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج	46 g	10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي	قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade
سعة الذاكرة	3.84 TB	2 TB
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	30000 IOPS	750 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5"	M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج	58 g	10 g
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
تقنية التشفير	-	Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D NAND
العمر الافتراضي المتوسط	-	1480

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
سعة الذاكرة	250 GB	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج	8 g	10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

إكس بي جي VS إكس بي جي

الميزة	محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي	قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	1 TB	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	3200 MB/s	6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	250	1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)	M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج	8 g	10 g
تقنية التشفير	Yes	Yes
دعم S.M.A.R.T	true	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

بريداتور VS إكس بي جي

الميزة	Predator GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 2TB محرك أقراص صلبة داخلي	قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	2 TB
سرعة القراءة التسلسلية	7200 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6300 MB/s	6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	925000 IOPS	750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	974000 IOPS	750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.2 mm)	M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج	7 g	10 g
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI	-
تقنية التشفير	-	Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش	-	3D NAND

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

علامة تجارية غير معروفة VS إكس بي جي

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
سعة الذاكرة	2 TB	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1480
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج	7.5 g	10 g
دعم S.M.A.R.T	true	-
دعم TRIM	true	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تقنية التشفير	-	Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-	750 IOPS

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

أداتا VS إكس بي جي

الميزة	قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS	قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	Dahili
تقنية التشفير	Yes	Yes
سعة الذاكرة	2 TB	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS	750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS	750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1480	1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج	12 g	10 g
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-

عرض تفاصيل المقارنة