صفحة 4 من المقارنة قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gbمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

Samsung Pm9A1 Nvme M2 512Gb

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 6900 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 5000 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 750 IOPS
ذاكرة DRAM true -
نوع الذاكرة DRAM -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T false -
الشهادات والتصديقات -
الحجم والأبعاد 2.38 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
تقنية التشفير - Yes
العمر الافتراضي المتوسط - 1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
وزن المنتج - 10 g

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 512 GB 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 6900 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4400 MB/s 6400 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 80 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 7.2 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط - 1480

مقارنة جيجابايت Nvme M2 128Gbمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

جيجابايت Nvme M2 128Gb

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 750 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
العمر الافتراضي المتوسط - 1480
وزن المنتج - 10 g

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
سعة الذاكرة 250 GB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 8 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 750 IOPS

مقارنة محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 1.92 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC 3D NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS 750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1480
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 110 * 2 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 14 g 10 g
خيارات الألوان Black, Green -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة التسلسلية - 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية - 6400 MB/s
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

محرك أقراص Klevv CRAS C910G SSD الداخلي

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تقنية التشفير Yes Yes
دعم S.M.A.R.T true -
سعة الذاكرة 2 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4800 MB/s 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 560000 IOPS 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 615000 IOPS 750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 1400 1480
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.8 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 10 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI298مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

علامة تجارية غير معروفة VS إكس بي جي
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI298

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 1 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 600 1480
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 6 g 10 g
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 750 IOPS

مقارنة جيجابايت Nvme M2 256Gbمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

جيجابايت Nvme M2 256Gb

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز -
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 1700 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1100 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 750 IOPS
ذاكرة DRAM false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 1480
استهلاك الطاقة -
دعم NCQ false -
دعم TRIM true -
دعم RAID false -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية دعم HMB (مخزن الذاكرة المضيف) / برنامج SSD Tool box -
الحجم والأبعاد 2.3 * 22 * 80 مليمتر (mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
مؤشر الحالة LED false -
تقنية التشفير - Yes
وزن المنتج - 10 g

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

علامة تجارية غير معروفة VS إكس بي جي
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI818

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
سعة الذاكرة 2 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 5200 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 4700 MB/s 6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1200 1480
الجهد التشغيلي 3.3 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 7.5 g 10 g
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 750 IOPS

مقارنة SSD داخلي سيجيت Nytro 5350Sمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 15 TB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 7200 MB/s 6400 MB/s
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 1700000 IOPS 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 195000 IOPS 750 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط 2500000 saat 1480
الجهد التشغيلي 12 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 205 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
تقنية التشفير - Yes

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 2 TB 2 TB
سرعة القراءة التسلسلية 2100 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 1700 MB/s 6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 480 1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 80 * 2.1 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 7 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0 PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
الشهادات والتصديقات CE, RoHS -
تقنية التشفير - Yes
مواصفات ذاكرة الفلاش - 3D NAND
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 750 IOPS

مقارنة Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخليمع قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

الميزة

Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي

قرص صلب داخلي NVMe إكس بي جي GAMMIX S70 Blade

سعة الذاكرة 960 GB 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC 3D NAND 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 7400 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 500 MB/s 6400 MB/s
العمر الافتراضي المتوسط 1800000 saat 1480
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C 0 - 70 °C
الحجم والأبعاد 2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm) M.2 (22 mm * 4.3 mm)
وزن المنتج 40 g 10 g
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili Dahili
دعم S.M.A.R.T true -
دعم TRIM true -
الشهادات والتصديقات RoHS -
تفاصيل الاتصال بالتخزين - Yes
تقنية التشفير - Yes
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - 750 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - 750 IOPS