صفحة 6 من المقارنة Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

الميزة	Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	168 (TBW) تيرابايت (tb)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingspec Mt Msata 512Gbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

كينغسبيك VS إكس بي جي

الميزة	Kingspec Mt Msata 512Gb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-20 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 698 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية	خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد	3.5 * 30 * 50.8 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	41 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

سيغيت VS إكس بي جي

الميزة	Seagate Firecuda 530 Heatsink 4Tb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	47 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Crucial Bx500 480Gbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

كروشيال VS إكس بي جي

الميزة	Crucial Bx500 480Gb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTTF) / 120 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	7 * 95 * 125 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

ليكسار VS إكس بي جي

الميزة	Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 960Gb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		-
العمر الافتراضي المتوسط	336 (TBW) تيرابايت (tb)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الميزات الإضافية
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	34 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 960 Evo 1Tbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

سامسونغ VS إكس بي جي

الميزة	Samsung 960 Evo 1Tb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 860 Qvo 1Tbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

سامسونغ VS إكس بي جي

الميزة	Samsung 860 Qvo 1Tb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	62 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

سيغيت VS إكس بي جي

الميزة	Seagate Firecuda 530 Heatsink 2Tb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7250 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 5100 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	47 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايتمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

سابرنت VS إكس بي جي

الميزة	Sabrent Rocket Q NVMe M.2 بسعة 1 تيرابايت	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	3200 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
العمر الافتراضي المتوسط	260 (TBW) تيرابايت (tb)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الحجم والأبعاد	10 * 80 * 100 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	11.2 جرام (g)

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

بي إن واي VS إكس بي جي

الميزة	Pny Xlr8 Cs3030 Nvme M2 2Tb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3115 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / إمكانية Secure Erase لمسح البيانات بشكل لا رجعة فيه / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E)
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	11.2 جرام (g)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs3040 Nvme M2 2Tbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

بي إن واي VS إكس بي جي

الميزة	Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	true	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	Windows 7 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs3040 Nvme M2 4Tbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

بي إن واي VS إكس بي جي

الميزة	Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	true	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 6800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	Windows 7 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد

عرض تفاصيل المقارنة