صفحة 5 من المقارنة Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
سعة الذاكرة	1.6 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
وزن المنتج	-	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	11.2 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

إتش بي VS إكس بي جي

الميزة	قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
وزن المنتج	164 g	11.2 جرام (g)
الحجم والأبعاد	82 * 30 * 12 mm	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سعة الذاكرة	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
العمر الافتراضي المتوسط	-	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم TRIM	-	false
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS إكس بي جي

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	11.2 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	11.2 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	11.2 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

سامسونج VS إكس بي جي

الميزة	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	false
دعم TRIM	true	false
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4200 MB/s	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
الشهادات والتصديقات	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	-	false
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-
وزن المنتج	-	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 960 Pro 512Gbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

سامسونغ VS إكس بي جي

الميزة	Samsung 960 Pro 512Gb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8.3 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Kingston A400 240Gbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

كينغستون VS إكس بي جي

الميزة	Kingston A400 240Gb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	350 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 80 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	0.279 واط في المتوسط / 0.642 واط في وضع القراءة / 1.535 واط في وضع الكتابة / 0.195 واط في وضع الاستعداد	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	false	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	false
الميزات الإضافية
الحجم والأبعاد	7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	41 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

سيغيت VS إكس بي جي

الميزة	Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 1275 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	6.5 واط في الوضع النشط / 0.016 واط في وضع الخمول	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	47 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

سامسونغ VS إكس بي جي

الميزة	Samsung 860 Pro Sata 2 5 Inch 2Tb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 2400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	100 x 69.85 x 6.8 مم	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	62 جرام (g)	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
الميزات الإضافية	-
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Pny Cs3140 Nvme M2 2Tbمع Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb

بي إن واي VS إكس بي جي

الميزة	Pny Cs3140 Nvme M2 2Tb	Xpg Gammix S5 Pcie Gen3X4 M2 2280 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6850 ميجابايت في الثانية (mb/s)	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	true	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 (MTBF) ساعة (h)	2,000,000 ساعة (MTBF) / 300 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	false
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	Windows 7 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	20.5 x 22.8 x 80.4 مم (مع غطاء حراري) / 4 x 22 x 80 مم (بدون غطاء حراري)	3.7 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	مع غطاء حراري: 45 غ / بدون غطاء حراري: 6.6 غ	11.2 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	false	false
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
استهلاك الطاقة	-	0.33 واط في الوضع النشط / 0.14 واط في وضع الاستعداد

عرض تفاصيل المقارنة