مقارنة Twinmos Nvme M2 128Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخليمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة	Seagate BarraCuda Q1 محرك أقراص صلبة داخلي	Twinmos Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	500 MB/s	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1800000 saat	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70.1 * 100.4 * 7.1 mm)	-
وزن المنتج	40 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	RoHS
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875مع Twinmos Nvme M2 128Gb

لينوفو VS توينموس

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A90875	Twinmos Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Twinmos Nvme M2 128Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Twinmos Nvme M2 128Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049مع Twinmos Nvme M2 128Gb

لينوفو VS توينموس

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A14049	Twinmos Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	240 GB
سرعة القراءة التسلسلية	540 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	250 MB/s	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	78000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	26000 IOPS
الحجم والأبعاد	M.2	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 2.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Twinmos Nvme M2 128Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	Twinmos Nvme M2 128Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4200 MB/s	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm)	-
الشهادات والتصديقات	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي سيجيت Nytro 5350Sمع Twinmos Nvme M2 128Gb

سيجيت VS توينموس

الميزة	SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S	Twinmos Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	7200 MB/s	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1700000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	195000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2500000 saat	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	12 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)	-
وزن المنتج	205 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Twinmos Nvme M2 128Gb

علامة تجارية غير معروفة VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Twinmos Nvme M2 128Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	-
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخليمع Twinmos Nvme M2 128Gb

سيجيت VS توينموس

الميزة	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي	Twinmos Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	540 MB/s	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	100000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	90000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	1400	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)	-
وزن المنتج	50 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Twinmos Nvme M2 128Gb

لينوفو VS توينموس

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	Twinmos Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	-
وزن المنتج	6.5 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع Twinmos Nvme M2 128Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي	Twinmos Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	30000 IOPS
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5"	-
وزن المنتج	58 g	-
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMeمع Twinmos Nvme M2 128Gb

كينغستون VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV1 M.2 NVMe	Twinmos Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	2 TB
سرعة القراءة التسلسلية	2100 MB/s	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1700 MB/s	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	480	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 80 * 2.1 mm)	-
وزن المنتج	7 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
الشهادات والتصديقات	CE, RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخليمع Twinmos Nvme M2 128Gb

لينوفو VS توينموس

الميزة	لينوفو 4XB7A90874 قرص صلب داخلي	Twinmos Nvme M2 128Gb
سعة الذاكرة	960 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	81000 IOPS
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة