صفحة 2 من المقارنة Twinmos Nvme M2 128Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة Lexar Ns100 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 128Gb$

مقارنة Lexar Ns100 512Gbمع Twinmos Nvme M2 128Gb

الميزة	Lexar Ns100 512Gb	Twinmos Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	256 (TBW) تيرابايت (tb)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	false	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	false	true
الميزات الإضافية		إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	34 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Kingspec Mt Msata 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 128Gb$

مقارنة Kingspec Mt Msata 512Gbمع Twinmos Nvme M2 128Gb

كينغسبيك VS توينموس

الميزة	Kingspec Mt Msata 512Gb	Twinmos Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-20 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 698 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الحجم والأبعاد	3.5 * 30 * 50.8 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	41 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 128Gb$

مقارنة Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tbمع Twinmos Nvme M2 128Gb

سيغيت VS توينموس

الميزة	Seagate Firecuda 530 Heatsink 1Tb	Twinmos Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	7300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6000 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,800,000 ساعة (MTBF) / 1275 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	6.5 واط في الوضع النشط / 0.016 واط في وضع الخمول	-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	11.04 * 24.2 * 80.16 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	47 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 128Gb$

مقارنة Pny Cs3040 Nvme M2 4Tbمع Twinmos Nvme M2 128Gb

بي إن واي VS توينموس

الميزة	Pny Cs3040 Nvme M2 4Tb	Twinmos Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	4 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3900 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	true	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 6800 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	Windows 7 والإصدارات الأحدث	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 128Gb$

مقارنة Pny Cs3040 Nvme M2 2Tbمع Twinmos Nvme M2 128Gb

بي إن واي VS توينموس

الميزة	Pny Cs3040 Nvme M2 2Tb	Twinmos Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة	2 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
سرعة القراءة التسلسلية	5600 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4300 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	true	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	2,000,000 ساعة (MTBF) / 3600 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الأنظمة المتوافقة	Windows 7 والإصدارات الأحدث	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	خوارزمية ECC (رمز تصحيح الخطأ) / محسن توفير الطاقة APST, ASPM, L1.2 / حماية مسار البيانات من طرف إلى طرف (E2E) / برنامج PNY PCIe SSD Toolbox	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	4 * 22 * 80 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	6.6 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Twinmos Nvme M2 128Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb$

مقارنة Twinmos Nvme M2 128Gbمع Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb

توينموس VS بلو

الميزة	Twinmos Nvme M2 128Gb	Western Digital Blue Wds250G2B0A 250Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز		2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)	525 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية		0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعة (h)
دعم NCQ	true	false
دعم TRIM	true	false
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث	-
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
استهلاك الطاقة	-
الحجم والأبعاد	-	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	-	37.4 جرام (g)
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Adata Xpg Sx900 256Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 128Gb$

مقارنة Adata Xpg Sx900 256Gbمع Twinmos Nvme M2 128Gb

أدا VS توينموس

الميزة	Adata Xpg Sx900 256Gb	Twinmos Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	560 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,000,000 (MTBF) ساعة (h)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة	0.8 واط في الوضع النشط / 0.4 واط في وضع الاستعداد	-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	true	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الأنظمة المتوافقة	Windows الإصدار XP والإصدارات الأحدث / macOS / Linux	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.45 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	68 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 960 Pro 512Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 128Gb$

مقارنة Samsung 960 Pro 512Gbمع Twinmos Nvme M2 128Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 960 Pro 512Gb	Twinmos Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2100 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 400 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	8.3 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 128Gb$

مقارنة Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gbمع Twinmos Nvme M2 128Gb

ليكسار VS توينموس

الميزة	Lexar Nq100 Sata 2 5 Inch 480Gb	Twinmos Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	false	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي		3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	168 (TBW) تيرابايت (tb)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
دعم NCQ	true	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية		إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات
الحجم والأبعاد	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	34 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
سرعة الكتابة التسلسلية	-	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 970 Evo 250Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 128Gb$

مقارنة Samsung 970 Evo 250Gbمع Twinmos Nvme M2 128Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 970 Evo 250Gb	Twinmos Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	3400 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	1500 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	8 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 860 Qvo 1Tb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 128Gb$

مقارنة Samsung 860 Qvo 1Tbمع Twinmos Nvme M2 128Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 860 Qvo 1Tb	Twinmos Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	1 تيرابايت (tb)
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
الجهد التشغيلي	5 فولت (v)	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 360 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	62 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة Samsung 850 Evo 500Gb {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos Nvme M2 128Gb$

مقارنة Samsung 850 Evo 500Gbمع Twinmos Nvme M2 128Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة	Samsung 850 Evo 500Gb	Twinmos Nvme M2 128Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة
تفاصيل الاتصال بالتخزين
تصميم وأبعاد الجهاز	2.5 بوصة
سعة الذاكرة
مواصفات ذاكرة الفلاش
وحدة التحكم
سرعة القراءة التسلسلية	540 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3500 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3080 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات
ذاكرة DRAM	true	false
نوع الذاكرة DRAM		-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 ساعة (MTBF) / 150 تيرابايت مكتوبة (TBW)	1,000,000 ساعة (MTBF) / 1000 تيرابايت مكتوبة (TBW)
استهلاك الطاقة		-
دعم NCQ	false	true
دعم TRIM	true	true
دعم RAID	false	false
دعم S.M.A.R.T	true	true
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	6.8 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)	-
وزن المنتج	54.4 جرام (g)	-
مؤشر الحالة LED	false	-
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
الأنظمة المتوافقة	-	Windows 2000 والإصدارات الأحدث / macOS الإصدار 10.1 والإصدارات الأحدث / Linux الإصدار 2.4 والإصدارات الأحدث
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة
الشهادات والتصديقات	-

عرض تفاصيل المقارنة