مقارنة Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb$

مقارنة مع Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

الميزة		Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	ذاكرة فلاش NAND	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
نوع الاتصال	NVMe	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية	7150 ميجابايت/ثانية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	أحدث ذاكرة NAND
وحدة التحكم	وحدة تحكم مطلية بالنيكل	-
الأنظمة المتوافقة	كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة	-
الميزات الإضافية	تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
تقنية التشفير		-
الحجم والأبعاد	M.2 2280	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	2.5 بوصة
استهلاك الطاقة	فعال	2 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الخمول
سرعة الكتابة التسلسلية	-	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb$

مقارنة مع Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

كروشيال VS توينموس

الميزة		Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة	Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
الميزات الإضافية	برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد	M.2 2280	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	2.5 بوصة
سعة الذاكرة	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-	2 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb$

مقارنة مع Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

كينغسبيك VS توينموس

الميزة		Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	محرك أقراص الحالة الصلبة داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	NVMe Gen3x4
نوع الاتصال	NVMe Gen3x4	-
سعة الذاكرة	512 جيجابايت
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 2400 ميجابايت/ثانية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش	ذاكرة فلاش NAND ثلاثية الأبعاد (TLC/QLC)
وحدة التحكم	وحدة تحكم رئيسية عالية الجودة	-
دعم TRIM	نعم	true
دعم S.M.A.R.T	نعم	true
الأنظمة المتوافقة	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
الميزات الإضافية	تسوية التآكل، LDPC ECC، حماية البيانات من طرف إلى طرف	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الحجم والأبعاد	M.2 2280	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
محتويات العلبة	SSD، وثائق	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	2.5 بوصة
سرعة الكتابة التسلسلية	-	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-	2 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb$

مقارنة مع Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

سامسونغ VS توينموس

الميزة		Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb
نوع استخدام الذاكرة	SSD داخلي	داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة	M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين	PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع الاتصال	M.2 NVMe PCIe 4.0	-
سعة الذاكرة	1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية	تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	نعم	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
مواصفات ذاكرة الفلاش	Samsung V-NAND
وحدة التحكم	Samsung Elpis Controller	-
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية	-
العمر الافتراضي المتوسط	غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)	-
دعم NCQ	نعم	true
دعم TRIM	نعم	true
دعم S.M.A.R.T	نعم	true
الأنظمة المتوافقة	Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)	-
الميزات الإضافية	برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
تقنية التشفير	تشفير AES 256 بت	-
خيارات الألوان	أسود	-
الحجم والأبعاد	M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	تقريبًا 8.0 جرام	-
محتويات العلبة	SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان	-
تصميم وأبعاد الجهاز	عامل شكل M.2 2280	2.5 بوصة
استهلاك الطاقة	أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO	2 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الخمول
دعم RAID	-	false
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	2 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb$

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

ديل VS توينموس

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb
سعة الذاكرة	1.6 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-	2 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	-
الجهد التشغيلي	3.3 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	2 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0) {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb$

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)	Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
الجهد التشغيلي	5 V	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	2 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb$

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe	Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	380000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	440000 IOPS	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	-
خيارات الألوان	Black, Green	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	2 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2 {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb$

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4200 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	-
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
الشهادات والتصديقات	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-
استهلاك الطاقة	-	2 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb$

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	2 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

$مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي {request()->input('language_config')['common']['with']} Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb$

مقارنة محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخليمع Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb

لينوفو VS توينموس

الميزة	محرك أقراص لينوفو 4XB7A90886 SSD الداخلي	Twinmos H2 Ultra Sata 25 Inch 512Gb
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	82000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	47500 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	7 * 69.85 * 100.2 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تصميم وأبعاد الجهاز	-	2.5 بوصة
سرعة القراءة التسلسلية	-	580 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
استهلاك الطاقة	-	2 واط في الوضع النشط / 3 واط في وضع الخمول
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
الشهادات والتصديقات	-
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة