صفحة 4 من المقارنة Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb	محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي
نوع استخدام الذاكرة	داخلي	Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة		PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين		Yes
تصميم وأبعاد الجهاز		-
سعة الذاكرة		1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش		3D NAND
وحدة التحكم		-
سرعة القراءة التسلسلية	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)	5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)	3200 MB/s
ذاكرة DRAM	false	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 إلى 70 درجة مئوية	0 - 70 °C
الجهد التشغيلي	3.3 فولت (v)	-
العمر الافتراضي المتوسط	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)	250
دعم NCQ	true	-
دعم TRIM	true	-
دعم RAID	false	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
الميزات الإضافية	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول	-
الحجم والأبعاد	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
مؤشر الحالة LED	false	-
وزن المنتج	-	8 g
تقنية التشفير	-	Yes

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخليمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

ديل VS توينموس

الميزة	محرك أقراص DELL 345-BGPN SSD الداخلي	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	1.6 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	SAS
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

ديل VS توينموس

الميزة	SSD داخلي ديل 345-BBCZ	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	3.84 TB
الحجم والأبعاد	2.5"	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايتمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

آي ستوريدج VS توينموس

الميزة	iStorage Kanguru Defender SED30 قرص صلب داخلي NVMe M.2 ذاتي التشفير 1 تيرابايت	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	7200 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6500 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1000000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1000000 IOPS	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 mm * 80 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	14 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

كينغستون VS توينموس

الميزة	محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	94000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	78000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	3504	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	69 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	No	-
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	QLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	5 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي سيجيت Nytro 5350Sمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

سيجيت VS توينموس

الميزة	SSD داخلي سيجيت Nytro 5350S	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	15 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	7200 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	1700000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	195000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2500000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	12 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (70.1 * 100.4 * 14.9 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	205 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخليمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

سيجيت VS توينموس

الميزة	Seagate FireCuda 120 محرك أقراص صلبة داخلي	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D TLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	540 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	100000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	90000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1400	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (70.1 * 100.3 * 7.1 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	50 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
تفاصيل الاتصال بالتخزين	No
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCSمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

أداتا VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي ADATA SMAR-980B-2TCS	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 5.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	14000 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	13000 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	2000000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	1650000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1480	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 4.5 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	12 g	-
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	TLC
سرعة القراءة التسلسلية	3200 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	2400 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	380000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	440000 IOPS	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	M.2	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	-
خيارات الألوان	Black, Green	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة