صفحة 3 من المقارنة Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661مع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1L68661	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	512 GB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.38 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	6.5 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايتمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

كينغستون VS توينموس

الميزة	كينغستون NV3 قرص صلب داخلي NVMe M.2 2230 سعة 500 جيجابايت	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	500 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	3000 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	160	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.6 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

لينوفو VS توينموس

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	97000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	31000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (70 * 100 * 7 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	70 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخليمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

لينوفو VS توينموس

الميزة	لينوفو 4XB1M86954 قرص صلب داخلي	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	512 GB
سرعة القراءة التسلسلية	6900 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4400 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 80 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (80 * 22 * 2.23 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.2 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايتمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

كينغستون VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي كينغستون NV3 M.2 2230 NVMe بسعة 1 تيرابايت	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	6000 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4000 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	320	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2230 (22 x 30 mm) (30 * 22 * 2.3 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	2.8 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

لينوفو VS توينموس

الميزة	SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 76 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	M.2 (80 * 22 * 2.38 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	9 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
سعة الذاكرة	3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية	550 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	520 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	30000 IOPS	-
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5"	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	58 g	-
خيارات الألوان	Siyah	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
مواصفات ذاكرة الفلاش	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية	560 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	530 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	98000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	88000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	1500000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	5 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	46 g	-
منفذ الاتصال بالذاكرة	Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخليمع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

سيجيت VS توينموس

الميزة	محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D cMLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات	245000 IOPS	-
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات	28000 IOPS	-
العمر الافتراضي المتوسط	2000000 saat	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد	M.2 (22 * 110 * 2 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	14 g	-
خيارات الألوان	Black, Green	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
سرعة القراءة التسلسلية	-	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	-	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم TRIM	-	true
دعم RAID	-	false
دعم S.M.A.R.T	-	true
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI818مع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI818	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	5200 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4700 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1200	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 2.1 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

سامسونج VS توينموس

الميزة	سامسونج 990 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
تقنية التشفير	Yes	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
سعة الذاكرة	1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	V-NAND TLC
سرعة القراءة التسلسلية	5000 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	4200 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	600	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
الشهادات والتصديقات	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	-	0 إلى 70 درجة مئوية
الجهد التشغيلي	-	3.3 فولت (v)
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb

علامة تجارية غير معروفة VS توينموس

الميزة	قرص صلب داخلي AGI Technology AI828	Twinmos Alpha Pro Nvme M2 512Gb
تفاصيل الاتصال بالتخزين	Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة	PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة	Dahili	داخلي
سعة الذاكرة	2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش	3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية	7400 MB/s	2455 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية	6700 MB/s	1832 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط	1500	1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي	3.3 V	3.3 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية	0 - 70 °C	0 إلى 70 درجة مئوية
الحجم والأبعاد	2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm)	2.2 * 22 * 80 مليمتر (mm)
وزن المنتج	7.5 g	-
دعم S.M.A.R.T	true	true
دعم TRIM	true	true
الشهادات والتصديقات	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
تصميم وأبعاد الجهاز	-
وحدة التحكم	-
ذاكرة DRAM	-	false
دعم NCQ	-	true
دعم RAID	-	false
الميزات الإضافية	-	إمكانية Wear Leveling لزيادة عمر الذاكرة / خوارزمية BBM لتحديد وإزالة أخطاء الوصول
مؤشر الحالة LED	-	false

عرض تفاصيل المقارنة