مقارنة Silicon Power Velox V55 240Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة Silicon Power Velox V55 240Gbمع

الميزة

Silicon Power Velox V55 240Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي SSD داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 450 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM false نعم
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية)
دعم NCQ true نعم
دعم TRIM true نعم
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true نعم
الميزات الإضافية برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم)
وزن المنتج 63 جرام (g) تقريبًا 8.0 جرام
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية
وحدة التحكم - Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة العشوائية للبيانات - تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات - تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية
الأنظمة المتوافقة - Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe)
تقنية التشفير - تشفير AES 256 بت
خيارات الألوان - أسود
محتويات العلبة - SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان
استهلاك الطاقة - أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO

مقارنة Silicon Power Velox V55 240Gbمع

الميزة

Silicon Power Velox V55 240Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 450 ميجابايت في الثانية (mb/s) تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 63 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - PCIe Gen4 NVMe
الأنظمة المتوافقة - Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)
محتويات العلبة - ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis

مقارنة Silicon Power Velox V55 240Gbمع

الميزة

Silicon Power Velox V55 240Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي ذاكرة فلاش NAND
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش أحدث ذاكرة NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7150 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 450 ميجابايت في الثانية (mb/s) -
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية تقنية HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 63 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - NVMe
وحدة التحكم - وحدة تحكم مطلية بالنيكل
الأنظمة المتوافقة - كمبيوتر شخصي، أجهزة كمبيوتر محمولة
تقنية التشفير -
محتويات العلبة - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
استهلاك الطاقة - فعال

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)مع Silicon Power Velox V55 240Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 4TB (موديل MZ-77Q4T0)

Silicon Power Velox V55 240Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 4 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)مع Silicon Power Velox V55 240Gb

الميزة

قرص صلب داخلي سامسونج 870 QVO 1TB (موديل MZ-77Q1T0)

Silicon Power Velox V55 240Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش QLC
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 88000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 5 V -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100 * 6.8 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 46 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Silicon Power Velox V55 240Gb

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Silicon Power Velox V55 240Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
الحجم والأبعاد PCI Express (22 * 80 * 2.38 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 63 جرام (g)
محتويات العلبة HP ZTurbo 1TB 2280 PCIe-4x4 TLC M.2 SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Silicon Power Velox V55 240Gbمع WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

الميزة

Silicon Power Velox V55 240Gb

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع استخدام الذاكرة داخلي ألعاب؛ لابتوب
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe Gen4 x4؛ NVMe
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة عامل شكل M.2 2280
سعة الذاكرة 2 تيرابايت
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 550 ميجابايت في الثانية (mb/s) 7,250 ميجابايت/ثانية
سرعة الكتابة التسلسلية 450 ميجابايت في الثانية (mb/s) 6,900 ميجابايت/ثانية
ذاكرة DRAM false -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) -
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true -
الميزات الإضافية برنامج WD_BLACK Dashboard (Windows فقط)؛ كفاءة طاقة أعلى بنسبة تصل إلى 100% مقارنة بالجيل السابق؛ أداء أسرع بنسبة تصل إلى 35% مقارنة بالجيل السابق
الحجم والأبعاد 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm) M.2 2280
وزن المنتج 63 جرام (g) -
مؤشر الحالة LED false -
نوع الاتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
الأنظمة المتوافقة - Windows (لوظيفة لوحة التحكم)

مقارنة محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخليمع Silicon Power Velox V55 240Gb

الميزة

محرك أقراص سامسونج PM883 SSD الداخلي

Silicon Power Velox V55 240Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 98000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 30000 IOPS -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 58 g 63 جرام (g)
خيارات الألوان Siyah -
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758مع Silicon Power Velox V55 240Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB1D04758

Silicon Power Velox V55 240Gb

سعة الذاكرة 2 TB
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 76 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80 * 22 * 2.38 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSDمع Silicon Power Velox V55 240Gb

الميزة

قرص صلب داخلي HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Silicon Power Velox V55 240Gb

وزن المنتج 164 g 63 جرام (g)
الحجم والأبعاد 82 * 30 * 12 mm 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
محتويات العلبة Z Turbo 4TB 2280 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC M.2 Z4/Z6 Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
سعة الذاكرة -
مواصفات ذاكرة الفلاش -
سرعة القراءة التسلسلية - 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع Silicon Power Velox V55 240Gb

الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

Silicon Power Velox V55 240Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 3504 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 69 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Silicon Power Velox V55 240Gb

الميزة

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

Silicon Power Velox V55 240Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 550 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2400 MB/s 450 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 7 * 69.85 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 63 جرام (g)
خيارات الألوان Black, Green -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
ذاكرة DRAM - false
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false