صفحة 3 من المقارنة Silicon Power Slim S55 60Gb

تم إعداد 12 مقارنة لك في هذه الصفحة

مقارنة محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)مع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

محرك أقراص كينغستون DC600M 1920G 2.5 بوصة SATA SSD داخلي للمؤسسات (استخدام مختلط)

Silicon Power Slim S55 60Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D TLC NAND
سرعة القراءة التسلسلية 560 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 530 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 94000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 78000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 3504 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (69.8 * 100.1 * 7 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 69 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة مع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

Silicon Power Slim S55 60Gb

نوع استخدام الذاكرة SSD داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2 2280
تفاصيل الاتصال بالتخزين PCIe 4.0 x4 NVMe
نوع الاتصال M.2 NVMe PCIe 4.0 -
سعة الذاكرة 1 تيرابايت
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,450 ميجابايت/ثانية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,900 ميجابايت/ثانية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM نعم false
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 درجة مئوية إلى 70 درجة مئوية -
مواصفات ذاكرة الفلاش Samsung V-NAND
وحدة التحكم Samsung Elpis Controller
سرعة القراءة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,400 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات تصل إلى 1,550 ألف عملية إدخال/إخراج في الثانية -
العمر الافتراضي المتوسط غير متوفر (لم يتم تحديد TBW في الميزات الأولية) 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ نعم true
دعم TRIM نعم true
دعم S.M.A.R.T نعم true
الأنظمة المتوافقة Windows، macOS، Linux (مع دعم NVMe) -
الميزات الإضافية برنامج Samsung Magician، التحكم الحراري الذكي، متوافق مع PS5
تقنية التشفير تشفير AES 256 بت -
خيارات الألوان أسود -
الحجم والأبعاد M.2 2280 (80 مم × 22 مم × 2.38 مم) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج تقريبًا 8.0 جرام 63 جرام (g)
محتويات العلبة SSD، دليل التثبيت، دليل الضمان -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 2.5 بوصة
استهلاك الطاقة أداء محسّن لكل واط مقارنة بـ 980 PRO -
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم RAID - true
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة Silicon Power Slim S55 60Gbمع محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

الميزة

Silicon Power Slim S55 60Gb

محرك أقراص XPG GAMMIX S60 SSD الداخلي

نوع استخدام الذاكرة داخلي Dahili
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
تصميم وأبعاد الجهاز 2.5 بوصة -
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s) 5000 MB/s
سرعة الكتابة التسلسلية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s) 3200 MB/s
ذاكرة DRAM false -
الجهد التشغيلي 5 فولت (v) -
العمر الافتراضي المتوسط 1,500,000 (MTBF) ساعة (h) 250
دعم NCQ true -
دعم TRIM true -
دعم RAID true -
دعم S.M.A.R.T true true
الميزات الإضافية -
الحجم والأبعاد 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm) 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.13 mm)
وزن المنتج 63 جرام (g) 8 g
مؤشر الحالة LED false -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية - 0 - 70 °C
تقنية التشفير - Yes

مقارنة مع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

Silicon Power Slim S55 60Gb

نوع استخدام الذاكرة داخلي داخلي
منفذ الاتصال بالذاكرة M.2
تفاصيل الاتصال بالتخزين NVMe PCIe Gen4 x4
نوع الاتصال PCIe Gen4 NVMe -
سرعة القراءة التسلسلية تصل إلى 7,100 ميجابايت/ثانية 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية تصل إلى 6,000 ميجابايت/ثانية 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
مواصفات ذاكرة الفلاش Micron G8 NAND
الأنظمة المتوافقة Windows، أجهزة الكمبيوتر المحمولة، أجهزة الكمبيوتر المكتبية، وحدات تحكم الألعاب المحمولة المختارة (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
الميزات الإضافية برنامج استعادة بيانات Acronis، التحكم الحراري
الحجم والأبعاد M.2 2280 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
محتويات العلبة ترخيص/مفتاح برنامج استعادة بيانات Acronis -
تصميم وأبعاد الجهاز عامل شكل M.2 2280 2.5 بوصة
سعة الذاكرة -
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
وزن المنتج - 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة قرص صلب داخلي AGI Technology AI828مع Silicon Power Slim S55 60Gb

علامة تجارية غير معروفة VS سيلكون باور
الميزة

قرص صلب داخلي AGI Technology AI828

Silicon Power Slim S55 60Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 4.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 2 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D NAND
سرعة القراءة التسلسلية 7400 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 6700 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2280 (22 x 80 mm) (22 * 80 * 3.5 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 7.5 g 63 جرام (g)
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
الشهادات والتصديقات BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي ديل 345-BBCZمع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

SSD داخلي ديل 345-BBCZ

Silicon Power Slim S55 60Gb

سعة الذاكرة 3.84 TB
الحجم والأبعاد 2.5" 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير No -
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
مواصفات ذاكرة الفلاش -
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
وزن المنتج - 63 جرام (g)
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526مع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

SSD داخلي لينوفو 4XB7A87526

Silicon Power Slim S55 60Gb

سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND TLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 97000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 31000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد 2.5" (70 * 100 * 7 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 70 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتامع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

سامسونج 860 EVO قرص صلب داخلي ساتا

Silicon Power Slim S55 60Gb

تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 250 GB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 550 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 520 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة Serial ATA III
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تفاصيل الاتصال بالتخزين -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسساتمع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

كينغستون 7.68 تيرابايت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe SSD للمؤسسات

Silicon Power Slim S55 60Gb

تقنية التشفير Yes -
سعة الذاكرة 7.68 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D eTLC
سرعة القراءة التسلسلية 14000 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 10000 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 2800000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 500000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد U.2 (69.8 * 100.5 * 14.8 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 151.3 g 63 جرام (g)
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 5.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخليمع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

محرك أقراص سيجيت Nytro 5000 SSD الداخلي

Silicon Power Slim S55 60Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
سعة الذاكرة 1.92 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش 3D cMLC
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 245000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 28000 IOPS -
العمر الافتراضي المتوسط 2000000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الحجم والأبعاد M.2 (22 * 110 * 2 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 14 g 63 جرام (g)
خيارات الألوان Black, Green -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
سرعة القراءة التسلسلية - 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية - 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة SSD داخلي سامسونج PM981 NVMeمع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

SSD داخلي سامسونج PM981 NVMe

Silicon Power Slim S55 60Gb

سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش TLC
سرعة القراءة التسلسلية 3200 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2400 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة القراءة العشوائية للبيانات 380000 IOPS -
سرعة الكتابة العشوائية للبيانات 440000 IOPS -
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 9 g 63 جرام (g)
خيارات الألوان Black, Green -
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
الجهد التشغيلي - 5 فولت (v)
العمر الافتراضي المتوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
دعم NCQ - true
دعم TRIM - true
دعم RAID - true
دعم S.M.A.R.T - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false

مقارنة سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2مع Silicon Power Slim S55 60Gb

الميزة

سامسونج 970 EVO قرص صلب داخلي NVMe M.2

Silicon Power Slim S55 60Gb

تفاصيل الاتصال بالتخزين Yes
منفذ الاتصال بالذاكرة PCI Express 3.0
نوع استخدام الذاكرة Dahili داخلي
تقنية التشفير Yes -
دعم S.M.A.R.T true true
دعم TRIM true true
سعة الذاكرة 1 TB
مواصفات ذاكرة الفلاش V-NAND MLC
سرعة القراءة التسلسلية 3400 MB/s 560 ميجابايت في الثانية (mb/s)
سرعة الكتابة التسلسلية 2500 MB/s 530 ميجابايت في الثانية (mb/s)
العمر الافتراضي المتوسط 1500000 saat 1,500,000 (MTBF) ساعة (h)
الجهد التشغيلي 3.3 V 5 فولت (v)
نطاق درجة الحرارة التشغيلية 0 - 70 °C -
الحجم والأبعاد M.2 (80.2 * 22.1 * 2.38 mm) 7 * 69.9 * 100 مليمتر (mm)
وزن المنتج 8 g 63 جرام (g)
خيارات الألوان Siyah -
الشهادات والتصديقات RoHS -
تصميم وأبعاد الجهاز - 2.5 بوصة
وحدة التحكم -
ذاكرة DRAM - false
دعم NCQ - true
دعم RAID - true
الميزات الإضافية -
مؤشر الحالة LED - false